SiC

ラマンによるSiCデバイスの応力分布評価

SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。 SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することが･･･

今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET･･･

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ･･･

SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4･･･

パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した･･･