深さ方向分析

X線光電子分光(XPS)

X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も･･･

銅は電気伝導性・熱伝導率・耐食性や加工性に優れているため、身の回りの製品から電気や電子部品などの工業製品まで幅広く活用されています。その一方で、酸化によって変色･･･

GaNデバイスにおいて、ゲート酸化膜への前工程由来成分(不純物)の拡散は、絶縁性不良の原因につながるため、その濃度分布や拡散源の特定が必要となります。今回当社で･･･

SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ･･･

SiC MOSFET構造では、特性改善のためn基板とnドリフト層の間に数百nmオーダのnバッファ層が挿入されることがあります。nバッファ層の評価では、深さ方向分･･･

飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)は、極表面に存在する無機・有機成分を分子レベルで高感度に評価できる手法で、マッピング分析や深さ方向分析が可能です･･･

ウェーハベベル部の成分評価は一般的にTEMやTOF-SIMSで行われていますが、既存の手法ではいずれも感度や定量に制限があり、微量の成分評価は困難とされてきまし･･･

鋭利な切刃で極めて穏やかな勾配の斜面を作製する「高精度斜め切削技術」とTOF-SIMS分析を組み合わせることにより、数十nm～数百nmといった薄膜の深さ方向分析･･･

GMR素子やMTJ素子(磁性金属多層膜を含むスピントロニクス素子)は、HDD装置の磁気ヘッドやMRAMへの実用化が進んでいます。このような磁気抵抗素子の特性は、･･･

二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。スパッタしながら測定することで、膜中の微量成分の深さ方向･･･

SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影･･･

TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し･･･

二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向分析が可能です。さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高･･･