微細加工

FIB加工によるTEM試料作製

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、加工位置精度が良く特定箇所の試料作製が可能であることから、様々な製品や材料のTEM試料作製に･･･

SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥やドーパント元素分布の評価は重要です。今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施･･･

半導体デバイスの構造解析では、FIB/SEMで表面や断面を観察します。一般的には立体構造をした素子の一部分を切り出し、2次元の平板な画像を得ることで、どのような･･･

FIBにより半導体デバイス試料を表面側から加工した場合、内部構造材料のイオンミリングレート差により加工面に凹凸が発生し、特に硬い材料の直下は試料膜厚が厚くなるな･･･

3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm程度に尖らせた針状に成形する必要があります。通常この針状試料作製は、･･･

集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)装置は、集束したイオンビームを試料に照射しスキャンさせることで、指定箇所の加工や観察が可能です。加工･･･