強制汚染ウェーハ提供サービスSi Wafer with Controlled Contamination Level
半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元素や領域(片面・両面)の選択が可能です。 また、全反射蛍光X線分析(TXRF)にてSiウェーハ上の金属分析を行う際に、標準ウェーハとしてご使用いただけます。
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強制汚染ウェーハの作製
強制汚染ウェーハの使用例
強制汚染の種類と特徴
| ディップ法 | 噴霧法 | |
|---|---|---|
| 標準液汚染方法 | 浸漬、スピン乾燥 | 霧状噴霧塗布 |
| 汚染形態 | フィルム状 | 粒子状 |
| 対応ウェーハ | 100～ 300mm φ Bare-Siのみ |
～300mm φ パターン付も可 |
| 汚染領域 | 表裏全面 | 片面のみ1)、任意領域も可 |
| 汚染濃度範囲 | ×109～1014 2) | ×109～1015 2) |
1) 裏面への回り込み1%以下
2) 元素、ウェーハサイズにより応相談(単位：atoms/cm2)
汚染対象元素
任意領域汚染例 (噴霧法)
面内分布均一性 (外部機関にて測定した参考データ)
300mmφウェーハの面内濃度分布を多点TXRF測定により確認しました。
6) 面内分布均一性について、保証するものではありません。
[ 更新日:2024/02/27 ]
