サイトマップ
お問い合わせ
TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと･･･
電子部品の発熱による温度上昇や構成材料の熱膨張差によって、はんだ接合部に応力が発生しクラックが生じる可能性があります。 EBSDで結晶粒ごとの結晶方位やグレイン･･･
ラマン散乱分光は、赤外分光同様に有機、無機化合物の同定が可能な手法です。 特に赤外分光に比べて空間分解能が高く、微小領域の応力・結晶性・欠陥などの評価が可能です･･･
各種デバイスにおける残留応力は、「剥がれ」や「割れ」などのトラブルを引き起こす要因になります。ラマン散乱分光では、μmオーダの空間分解能で応力分布を得ることが可･･･
SiCデバイスはパワー半導体の中でも市場が大きく、今後も需要の拡大が見込まれています。 SiCデバイスでは製造工程において、結晶欠陥や、内部応力が発生することが･･･
受託分析サービス動画配信 随時更新します!
Webカタログ ダウンロード
論文
略語集
申込書・問い合わせ書 ダウンロード
よくあるご質問
依頼に関するお問い合わせ
入力フォームはこちらから
