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半導体デバイスの故障解析の手順として、故障発生状況の調査、外観観察および電気特性を取得し、故障メカニズムを推測します。次に、非破壊検査や故障特定を行なった後、さ･･･
ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
半導体・電子デバイスのどこで故障したのか、製品がどんな工程でつくられたか、分子構造・結晶構造など、さまざまなあなたの『見たい!』にお応えします。
パワーMOSFETの故障解析には、不具合特性を維持しながら故障箇所を特定することが重要です。そのために、裏面からOBIRCH/PEM(EMS)で特定し、裏面から･･･
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