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半導体デバイスの故障解析の手順として、故障発生状況の調査、外観観察および電気特性を取得し、故障メカニズムを推測します。次に、非破壊検査や故障特定を行なった後、さ・・・
ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
レイヤー解析とは、ICチップ内の各層(レイヤー)の観察と除去を繰り返して、異常の有無を確認する手法です。
3次元X線顕微鏡により、非破壊で不具合箇所の状態を観察し、同箇所について高速FIBを用いて解析することにより、3次元での詳細な形状と元素分布を観察することができ・・・
半導体デバイスやFPDの故障解析では、故障発生状況の把握、外観観察および電気特性取得の後、故障メカニズムの推測を行います。次に故障箇所の特定を行い、表面または断・・・
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