SiCウェーハのエッチピットの形状解析Quantitative Analysis of Etch Pits Formed on SiC Wafers

パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。
今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介します。X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。