化学分析による薄膜の組成分析Composition Analysis of Thin Films by Chemical Analysis Method
組成比のわずかな違いや不純物が、半導体や磁気記録媒体などに用いられる薄膜の特性に影響を及ぼすことがあります。化学分析の高い繰り返し精度を生かし、特性に影響する可能性がある組成のわずかな差異や極微量の不純物を分析することができます。
特徴
- 化学的な前処理による1％以下の繰り返し精度1)
- 国家計量標準にトレーサブル
- 面内依存性を測定可能
- 金属成分だけでなく窒素(N)にも対応
- 揮発性の高い元素(Ge,Si,Bなど)を含む試料や、難分解性のIrMn,GaNなども分析可能
- 不純物の定量分析にも対応
1) 基板サイズ・膜厚・膜種・基板材質などによります。
酸素は分析対象から除きます。
対応可能な薄膜
- 膜厚：数nm～
| 窒化膜 | TiN,TaN,SiN,AlN,NbN,WN, GaNなど |
|---|---|
| 酸化膜 | SrRuO,HfSiO,SrTiO,BaTiO, BPSG,PZT,SBTなど |
| 金属膜 積層膜 |
CoPt,AlSi,MoSi,WSi,IrMn, GeSbTe,MnGe,MnGaなど |
GaN膜の組成分析
化学的特性が非常に安定で、酸や塩基に溶けにくいGaN膜の組成比を化学分析で確認しました。
| Ga | N | |
|---|---|---|
| X1 | 46.3 | 53.7 |
| X2 | 46.4 | 53.6 |
| 平均 | 46.4 | 53.6 |
mol比 Ga：N = 0.928：1.072
■分析フロー
[ 更新日:2025/04/24 ]
