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ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
走査電子顕微鏡(SEM)は、試料の表面に電子線を照射して観察することで、微細な表面形状や組成、結晶方位を観察することができます。
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