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パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。 今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した･･･
今後、普及が見込まれているSiCパワーデバイスも、Siデバイスと同様の手法で故障解析を行うことができます。 ここでは、ESD試験で破壊した SiC MOSFET･･･
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