TOSHIBA 東芝ナノアナリシス株式会社 会社案内
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3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕 透過電子顕微鏡(TEM) 3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕によるネオジム磁石解析 FinFETデバイス 断面TEM像 ●● B Fe ●● CN u d ●● DN y ●● A C l o ●Pr 0 10 20 10 5 10 15 20 25 20 30 40 50 60 70 40 60 80 100 120 140 3040 Distance(nm) Cu, Ndを表示 20 解析方向 Concentration(B, Dy, Nd, Co)(atomic%) Concentration(Cu, N)(atomic%) マトリックス 粒界相 マトリックス 20 15 10 5 0 4 3 2 1 0 0 5 10 15 20 Distance(nm) B Dy Nd Co Cu N 粒界相 リチウムイオン二次電池 正極材の結晶構造 サイクル試験品 Diffractgram 層状岩塩型 構造 スピネル型 ＋CdI2型 構造 1µｍ 10nｍ ■ 原子レベルの3次元元素マッピング ■ ナノレベルの断面構造の観察 ■ ナノレベルの微小部構造解析 ■ 試料極浅表面の形状観察 内 容 TEM ■半導体製品のTEM･STEMによる不良箇所(転位・異物)の 直接観察 ■ナノレベルの構造解析 3DAP ■半導体デバイスにおける不純物分析 ■GaN-SBDのリーク転位へのドーパント偏析分析 ■GaN-LEDのMQW異常箇所の観察 ■GaAs系LDにおけるwell層の分析 ■Nb3Al超電導体の積層欠陥分析 ■Ni基超合金のγ相組成分析 ■EBSDで判別したステンレス異相粒界の元素偏析 ■Cu合金中の析出物、粒界偏析分析 ■鉱物焼結体の粒界偏析分析 ■セラミック焼結体の粒界偏析分析 ■セラミックコンデンサの誘電体/電極界面への 元素偏析分析 事 例 ■3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕 ■透過電子顕微鏡(TEM) ■走査透過電子顕微鏡(STEM：HAADF/EELS/EDS) ■走査型プローブ顕微鏡(SPM) ■低加速電圧走査電子顕微鏡 ■原子層堆積装置(ALD) 主要設備 ナノレベルの評価が要求される次世代製品の研究・開発を 先端の設備と高度な分析技術でサポートします ナノ構造解析 3 Toshiba Nanoanalysis 一 一 閏
自動化二次イオン質量分析(SIMS) 低加速電圧走査電子顕微鏡 二次イオンイメージ（P） 半導体チップのSIMS分析データ 濃度プロファイル（P） ブルーレイディスク表面の観察 記録箇所 Specie：31P ■ 表面分析のための前処理(斜め切削・裏面研磨) ■ 表面の形状観察 ■ 表面の元素組成・状態の分析 ■ 表面の元素分布の分析 ■ 表面の化合物分析 ■ 薄膜深さ方向における組成・結合状態の分析 ■ 薄膜深さ方向における不純物分布の分析 内 容 ■ 多層構造における下層膜・埋もれた界面の状態分析 ■ ゲート電極・酸化膜界面の不純物分析 ■ 裏面研磨技術を用いたSIMS分析 ■ SIMS分布の精確な深さ校正 ■ 有機薄膜の深さ方向分析 ■ 金属多層膜の深さ方向・状態分析 ■ 高濃度マトリックス中に含まれる微量成分の分析 ■ 錠剤断面における薬剤成分の分布評価 ■ TOF-SIMS分析の微小試料・凹凸試料分析への応用 事 例 ■X線光電子分光(XPS) ■電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS) ■二次イオン質量分析(SIMS) ■飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) ■低加速電圧走査電子顕微鏡 主要設備 表面の化学組成、結合状態や不純物分布などを詳しく調べ 研究開発、製造プロセスおよび不良解析に役立つ情報をご提供します 表面分析 4 Toshiba Nanoanalysis ロ
高温X線回折(高温XRD) 昇温脱離ガス分析(TDS) HfOx薄膜の高温XRD測定結果 500 0 1000 1500 2000 2500 強度(cps) 2θ/Ω(°) 25 35 45 55 65 HfO2(PDF34-0104, Monoclinic) 室温 300℃ 450℃ TDSによるSi酸化膜中からの脱離水評価 ■ 極薄膜(nmレベル)の結晶構造解析 ■ 微小部における結晶構造の同定 ■ 薄膜材料の密度、膜厚、ラフネスおよび相分離 (粒径など) ■ 薄膜材料からの脱離ガス分析 内 容 ■HfOx薄膜の昇温過程における結晶構造の変化 ■薄膜Si窒化膜の膜密度や表面粗さ ■Si酸化膜中からの脱離水評価 ■有機材料膜からの発生ガス評価 ■ハイドロキシアパタイト顆粒中の不純物解析 ■TDSによるSi酸化膜の脱離ガス成分分析 事 例 ■X線回折(XRD：高温・粉末・薄膜) ■ラマン散乱分光(Raman) ■昇温脱離ガス分析(TDS) ■加熱発生ガス質量分析(TPD/MS) 主要設備 研究開発から製造技術における様々な薄膜材料について その物理的構造や特性を種々の分析手法を用いて明らかにします 薄膜物性評価 試料ステージ(℃) 0.00E+00 1.60E-09 1.40E-09 1.20E-09 1.00E-09 8.00E-10 6.00E-10 4.00E-10 2.00E-10 Intensity(A) 0 200 400 600 800 1000 吸着水 水素 結合水 m/z1 m/z 2 m/z 17 m/z 18 5 Toshiba Nanoanalysis
液晶ディスプレイの断面構造SEM観察 電極 平坦化膜 信号線 ポリシリコン 絶縁膜 ゲート配線 TOF-SIMSによる微小異物の評価 TSVの応力(Raman) 微小異物を確認できない FPD（有機ELディスプレイなど）、電子部品やセラミックス・蛍光体などの機能性材料の開発を 高度な構造解析・分析技術でサポートします FPD・電子部品・材料分析 ■ 非破壊観察 ■ 構造解析 ■ 無機・有機材料分析 内 容 ■ 3次元X線顕微鏡 ■ FIB-SEM複合装置 ■ 走査電子顕微鏡(SEM) ■ 集束イオンビーム(FIB) ■ イオンミリング ■ エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-μXRF) ■ 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) ■ 液体クロマトグラフ/飛行時間型質量分析 (LC/TOF-MS) ■ ガスクロマトグラフ/質量分析(GC/MS) ■加熱発生ガス質量分析(TPD/MS ) ■フーリエ変換赤外分光(FT-IR) ■ラマン散乱分光(Raman) ■熱分析(TG-DTA・DSC・TMA) 主要設備 実装 ■FIB/SEMによる3次元構造観察 ■3次元X線顕微鏡による内部構造の非破壊観察 ■FPD剥離原因分析 ■蛍光X線による微小領域のめっき膜厚測定 FPD ■ 液晶パネル・有機ELパネルの断面観察・表面観察 ■ 液晶パネル・有機ELパネルの多層膜の 斜め切削加工と表面分析 ■液晶パネルの焼き付き原因調査 ■液晶パネル中気泡の成分特定 ■液晶パネル配向膜の構造解析 ■有機ELパネルの多層膜の深さ方向分析 機能性材料 ■ カーボン材料の表面官能基評価 ■白色LEDの蛍光体の分布観察 ■ セラミックスなど粉末材料の表面・断面観察 事 例 6 Toshiba Nanoanalysis 一 一 30 20 a。 "- R 介→ I I : :Cu: SI I I I I 四，＇I I 霞I'~, aR 96 20 X(μm) ヽ 縮＼ 圧‘ ‘ 、 V| (E ュ ） ＞ ゜(edN) 畢R&暴ぷ
SCM像 SCM+AFM合成像 断面SEM観察による不良箇所の形状確認 SCMで拡散層の断面形状を観察 全体像 拡大像 故障箇所をOBIRCHで特定 ■ 非破壊観察 ■ 故障箇所特定 ■ 不具合箇所の解析 内 容 ■ 3次元X線顕微鏡による内部構造の非破壊形態観察 ■ OBIRCHやPEM(EMS)を用いた不具合箇所の特定 ■ SEM・TEMを用いた不具合箇所の形状観察とEDS分析 ■ FIB加工・SEM観察の繰り返しによる3次元構造観察と EDS分析 ■ SCMや3DAP(APT)による半導体内部の拡散異常の観察 ■ SEM/EDSやTEM/EDSによる不具合箇所の成分分析 事 例 ■ 3次元X線顕微鏡 ■ 光ビーム加熱抵抗変動解析(OBIRCH) ■ フォトエミッション顕微鏡〔PEM(EMS)〕 ■ イオンミリング ■ 集束イオンビーム(FIB) ■ 走査電子顕微鏡(SEM) ■ 電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS) ■ 3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕 ■ 透過電子顕微鏡(TEM) ■ 原子間力顕微鏡(AFM) ■ 走査型静電容量顕微鏡(SCM) 主要設備 半導体製品の故障箇所特定から物理解析まで一貫した解析により不具合の原因を特定し 製品開発や歩留まり・信頼性の向上に寄与します 半導体解析 7 Toshiba Nanoanalysis ~ l 9, 1 ー
SnAgはんだ中の微細なAgの分布をEDSで分析 熱履歴によるはんだの組織変化をEBSDで観察 バンプ接合の構造をFIB-SEM/EDSで３次元観察・元素分析 ワイヤボンディングの断面SEM像 ■ 非破壊観察 ■ 構造解析 ■ 材料分析 ■ 不具合箇所の解析 内 容 ■ 3次元X線顕微鏡による内部構造の非破壊形態観察 ■ 超音波顕微鏡による半導体パッケージ内の 異物・剥離有無の非破壊観察 ■ チップの層構造、素子サイズや拡散層構造の観察 ■ 蛍光X線による微小領域のめっき膜厚測定 ■ FIB加工・SEM観察による3次元構造観察とEDS分析 ■ SEMを用いた不具合箇所の形状観察とEDS分析 ■ TOF-SIMSやFT-IRによる 剥離発生箇所・有機系異物の分析 ■ EBSDによる結晶方位解析 事 例 ■ 透過型X線観察装置 ■ 3次元X線顕微鏡 ■ 超音波顕微鏡(SAM) ■ 走査電子顕微鏡(SEM) ■ 原子間力顕微鏡(AFM) ■ 走査型静電容量顕微鏡(SCM) ■ 集束イオンビーム(FIB) ■ イオンミリング ■ エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-μXRF) ■ 電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS) ■ 電子後方散乱回折(EBSD) ■ フーリエ変換赤外分光(FT-IR) ■ 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) 主要設備 購入品の半導体製品についてデザインルールの調査やパッケージ・実装の非破壊検査から物理解析まで 一貫した解析により不具合の原因を特定し、製品開発・歩留まりや信頼性の向上に寄与します 半導体パッケージ・実装解析 8 Toshiba Nanoanalysis 一 ‘、 .14
各種環境試験槽 超音波顕微鏡による剥離の観察 3次元X線顕微鏡による錠剤の観察 磁場顕微鏡による電流経路の推測 透過X線像 4mm 電流経路像 環境試験 ■ 高温試験 ■ 低温試験 ■ 恒温恒湿試験 ■ 温湿度サイクル試験 ■ プレッシャークッカー/HAST/オートクレーブ試験 ■ 気槽熱衝撃/温度サイクル/気槽定速温度変化試験 ■ 液槽熱衝撃試験 ■ はんだ耐熱性試験 機械強度試験 ■ ワイヤ強度試験・ボール強度試験 ■ 実装後のリード引張り試験 ■ 実装後の基板曲げ試験 ■ 固着強度試験 非破壊検査・解析 ■ 超音波顕微鏡(SAM)観察 ■ 3次元X線顕微鏡観察 ■ 磁場顕微鏡観察 内 容 ■ 表面実装部品のはんだ耐熱性試験 ■ 温度勾配制御による温度サイクル試験 ■ 低温側-65℃/高温側300℃の温度サイクル試験 ■ 半導体製品のワイヤ強度試験 ■ 半導体製品の超音波顕微鏡観察 ■ 3次元X線顕微鏡による材料内部の3次元観察 ■ 医薬品内部の3次元X線顕微鏡観察 ■ 太陽電池の非破壊検査 ■ 電気的ショート不良の磁場顕微鏡解析 ■ 3次元X線顕微鏡によるLED内部の蛍光体の粒度分布測定 事 例 ■ 恒温試験槽(高温・低温) ■ 恒温恒湿試験槽/温湿度サイクル試験槽 ■ 温度サイクル試験槽(気槽式) ■ 熱衝撃試験槽(液槽式) ■ 急速温度変化試験槽 ■ HAST槽 ■ リフロー装置 ■ 万能強度試験装置 ■ 曲げ試験装置 ■ 超音波顕微鏡(SAM) ■ 3次元X線顕微鏡 ■ 磁場顕微鏡 主要設備 試験所認定(ISO/IEC 17025)を取得しており 管理された環境で信頼できる試験結果をご提供します 信頼性・非破壊観察 9 Toshiba Nanoanalysis ゴ ’ 7~77J72-: . • • [> >• •· •0.oo-·0-•o ) a r. ＇ ， I r,,r -T : - , ,9 .， ク名 委 l` ‘. 9} ＜‘`•I /'／ク、そ -ly`7¥ ‘も ． ，ヽ． ． r,2' 、ヽ．、ヽ' 『r1 ’9 ]』 : I n 、芯‘心李房，／ク 9/／ . . 。ー・・ a
ウェーハ表面の有機物汚染分析 半導体ウェーハ分析 ■ ウェーハメタル分析・吸着イオン分析・吸着有機物分析 クリーンルーム環境分析 ■ クリーンルーム室内外の大気中メタル・イオン・有機物分析 ■ 目的・対象に応じたサンプリングのデザインとサンプリング ■ 建築部材・各種材料アウトガス分析 その他関連技術 ■ 強制汚染ウェーハ(メタル・イオン)、全反射蛍光X線 (TXRF)用標準ウェーハの作製 内 容 ■ウェーハ表面・膜中・バルク中のメタル汚染分析 ■エッチングを用いたSiウェーハの深さ方向の金属汚染分析 ■ウェーハベベル部の拭き取り法による微量金属分析 ■FOUP内汚染評価 ■高圧ガス中の不純物分析 ■フォトマスク上のコンタミネーションの高感度分析 ■強制汚染ウェーハ提供サービス〔ディップ（浸漬）法・噴霧法〕 ■ウェーハ表面の有機物汚染分析 ■金属元素の熱拡散評価 事 例 主要設備 クリーンルームのサンプリングポイント例 半導体デバイスメーカーで培った経験豊かな技術で、極微量成分のサンプリングから分析まで行い クリーンルーム・プロセス評価をサポートします クリーンルーム・プロセス評価 ウェーハ・フォトマスク用流通法前処理サンプリング例 N2 特ガス 薬液供給 ガス供給 薬液 露光 装置 コーター エアーシャフト 外調機 超純水 コンプ レッサー CVD 洗浄装置 拡散炉 エッチャー リソグラフィ室 製造工程室 動力室 FFU ULPA上流 ULPA下流 ULPA上流 装置内部空間 ULPA下流 ガス周辺 リターン 大気 薬液中 CDA 不純物 ガス中 不純物 薬液周辺 大気 CF後 外気 (OA) 超純水中の 不純物 装置周辺大気 オーブン アウト ガス 固体捕集法 液体捕集法 イオン クロマトグラフ ガスクロマトグラフ/ 質量分析 POWER START /STOP MODE UP DOWN POWER START /STOP MODE UP DOWN 10 Toshiba Nanoanalysis ヽ ヽ・ - . ガスクロマトグラフ/ 質量分析 冷却濃縮 吸着剤 ウェーハ 排気 試料ホルダー (石英) 加熱炉 分析面 裏面 ■専用クリーンルーム(メタル分析・イオン分析) ■ウェーハ・フォトマスク用流通法前処理 ■ウェーハメタル分析用自動前処理 ■誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS・ICP-MS/MS) ■飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) ■フーリエ変換赤外分光(FT-IR) ■ラマン散乱分光(Raman) ■イオンクロマトグラフ(IC) ■ガスクロマトグラフ/質量分析(GC/MS) ■シリコンウェーハ分析－ガスクロマトグラフ/質量分析 (SWA-GC/MS) f
クリーンルーム分析室 無機金属分析 誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-OES) ■ 薄膜の組成、不純物の定量分析 ■ 金属・セラミックス・医薬品・ナノマテリアルの定量分析 ■ 有機材料中の微量無機成分分析 ■ プロセス評価に関連した分析 内 容 ■ 窒化膜(TiN, TaN, GaN)の組成分析 ■ 金属膜(TiW, Al)の不純物分析 ■ 金属薄膜の膜厚・付着量評価 ■ 金属・高純度材料の成分・不純物分析 ■ LED蛍光体の組成・不純物分析 ■ 各種鉄鋼・非鉄・セラミックス材料のJIS および協会規格成分分析 ■ セラミックス(SiN)の酸素・窒素分析 ■ 鉄鋼の炭素・硫黄分析 ■ ファインセラミックス材料の組成・不純物・ハロゲン分析 ■ ソーダライムガラスの半定量分析 ■ 電池材料の組成・不純物分析 ■ ナノマテリアル材料(CNT)の金属成分分析 ■ 半導体封止樹脂の腐食性成分分析 ■ レジストの不純物分析 ■ 有機溶媒の微量不純物分析 ■ CVD装置内および配管中の付着粉体の成分分析 ■ 微小異物(～10μｍ)の定性・半定量分析 事 例 ■誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS・ICP-MS/MS) ■誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP-OES) ■イオンクロマトグラフ(IC) ■ガス(酸素・窒素・炭素・硫黄)分析 ■波長分散型蛍光X線分析(WD-XRF) ■エネルギー分散型蛍光X線分析(ED-XRF) ■エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-μXRF) ■熱加水分解分離システム(自動試料燃焼装置) 主要設備 豊富な経験に基づいた確かな前処理・測定技術で、薄膜、金属、セラミックス、医薬品、ナノマテリアル および有機材料中の組成や不純物分析を迅速かつ高精度にご提供します 無機化学分析 11 Toshiba Nanoanalysis ~ 、 .- L 8 4' 』 一~ ~
プラスチック材料中の添加剤例 TOF-SIMSによる錠剤内部の化合物の分散状態評価 錠剤コーティング層の化合物の分散状態 錠剤断面像とイオンイメージ像 糖系成分････コーティング剤 ステアリン酸････････潤滑剤 リン酸･････････････電解質 500μm Siウェーハ上指紋の赤外イメージング像(FT-IR) その他 自動車 半導体 バイオ 電子機器 ディスプレイ プラスチック 材料 酸化防止剤 熱安定剤 可塑剤 帯電防止剤 紫外線吸収剤 難燃剤 充填剤 潤滑剤 500μm Siウェーハ上の指紋 A:タンパク質の分布 B:脂肪酸エステルの分布 ■有機成分の構造解析 ■微小・微量有機成分の定性・定量分析 ■有機材料の熱物性評価 ■発生ガス・昇温脱離ガス評価 内 容 ■ ポリイミド膜の構造解析 ■ インク材料の組成評価 ■ 有機材料膜からの発生ガス・昇温脱離ガス評価 ■ 高分子材料に含まれる添加剤の定性・定量分析 ■ 半導体フォトレジスト膜の添加剤分布評価 ■ フォトマスク上のコンタミネーションの成分特定 ■ ガラス内気泡成分の特定 ■ 微小異物の成分特定 ■ フラーレン誘導体中不純物の定性・定量分析 ■ カーボン材料の表面官能基評価 ■ 樹脂の硬化度・硬化挙動の評価 ■ 樹脂のガラス転移点の評価 ■ 二次電池の電解液の劣化分析 ■ 量子ドット材料の評価 事 例 ■液体クロマトグラフ/飛行時間型質量分析 (LC/TOF-MS) ■液体クロマトグラフ/質量分析(LC/MS) ■ガスクロマトグラフ/質量分析(GC/MS) ■飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) ■加熱発生ガス質量分析(TPD/MS ) ■フーリエ変換赤外分光(FT-IR) ■ラマン散乱分光(Raman) ■熱分析(TG-DTA・DSC・TMA) ■イオンクロマトグラフ(IC) ■高速液体クロマトグラフ(HPLC) ■昇温脱離ガス分析(TDS) 主要設備 電子材料・機能性材料・ナノマテリアルなど多種多様な有機材料の開発を 適切な前処理・分離技術および高度な測定・分析技術でサポートします 有機化学分析 A 200μm 測定エリア 200μm B 12 Toshiba Nanoanalysis 雙ー ~ --愚 ,~ ，．＇ 9.
評価対象と考えられる影響 PM:Particulate Matter ＜ 0.1μm 2.5μm 10μm 体内拡散 咽頭まで 到達 肺胞まで 到達 作業環境測定・ばく露量評価 ナノマテリアル PM2.5 PM10 熱分離式炭素分析 製薬向け粒子封じ込め性能評価 ■ 労働衛生に関わる評価 ■ 医薬・医療を支援する作業環境評価 ■ 製品含有化学物質の規制に関する分析 内 容 労働衛生に関わる評価 ■ 作業環境測定 (粉塵・有機溶剤・特定化学物質・がん原性物質) ■ 化学物質の個人暴露測定 医薬・医療を支援する作業環境評価 ■ 医薬品製造・研究現場における 粒子封じ込め性能評価 ■ 医療現場における抗がん剤曝露調査サービス ■ 医薬品製造工程のリスクポイントと薬塵測定 ■ 高活性医薬品製造現場の薬塵汚染調査 製品含有化学物質の規制に関する分析 ■製造・研究現場のナノマテリアルや カーボンナノチューブの環境評価 ■RoHS規制物質のスクリーニング測定 (RoHS指令6物質) ■フタル酸エステル類分析 (改正RoHS指令規制物質) 事 例 ■熱分離式炭素分析 ■パーティクルカウンター(OPS ) ■誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS) ■コンテインメント秤量ブース ■液体クロマトグラフ/タンデム型質量分析(LC/MS/MS) ■エネルギー分散型蛍光X線分析(ED-XRF) ■エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-μXRF) ■ガスクロマトグラフ/質量分析(GC/MS) 主要設備 法令などに従った分析から医薬・医療現場、ナノマテリアルなどの環境測定まで お客様のご要望にお応えする分析デザイン・結果を迅速にご提供します 環境安全化学分析 13 Toshiba Nanoanalysis •••••••••••••• ; ; ,・ ・, ~ .9. ‘;, . []
商 号 東芝ナノアナリシス株式会社（TOSHIBA NANOANALYSIS CORPORATION） 本社事業所 〒235-8522 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地 TEL: 045-770-3428 FAX: 045-770-3457 代 表 者 代表取締役社長 水野健司 設 立 2002年8月1日 資 本 金 1億5000万円 売 上 高 77億円（2022年1月～12月 実績） 株 主 日本エア・リキード合同会社 東芝デバイスソリューション株式会社 従 業 員 数 309名（2023年4月1日現在） 事 業 所 本社事業所（神奈川県横浜市） 川崎事業所（神奈川県川崎市） 大船事業所（神奈川県横浜市） 四日市解析技術センター（三重県四日市市） 半導体解析技術センター 加賀分析評価ラボ（石川県能美市） 半導体解析技術センター 姫路分析評価ラボ（兵庫県揖保郡） 北上営業所（岩手県北上市） 事 業 内 容 ・半導体製品、FPD、電子部品およびそれらの品質信頼性評価用ユニットの故障解析、 構造解析、材料分析、インプロセスQC関連分析、プロセス評価、清浄化評価、 化学分析および評価 ・金属、セラミックス、液晶、高分子材料、新素材、原子力材料の物理分析、化学分析 および評価 ・作業環境測定およびナノマテリアル環境評価、 医療、医薬を支援する封じ込め性能評価や抗がん剤汚染評価 事業登録 ・環境計量証明事業登録 神奈川県第121号（濃度） ・作業環境測定機関登録 第14-73号 ISO 認 証 ISO 9001 認証取得 ISO/IEC 17025 認定取得 電気試験（環境試験） ISO 45001 認証取得 2002年08月 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社（現、東芝デバイスソリューション株式会社）の 半導体分析事業と東芝電子エンジニアリング株式会社（現、東芝デベロップメント エンジニアリング株式会社）の液晶・材料分析事業を統合し、設立 2006年11月 ISO/IEC 17025認定取得 電気試験（環境試験） 2006年12月 ジャパン・エア・ガシズ株式会社（現、日本エア・リキード合同会社）が資本参加 2009年04月 OHSAS 18001認証取得 2021年07月 ISO 45001認証取得（OHSAS 18001からの移行認証） 会 社 概 要 沿 革 社名変更によりISO 9001継承
東芝ナノアナリシス株式会社 〒235-8522 横 浜 市 磯 子 区 新 杉 田 町 8番 地 www.nanoanalysis.co.jp お問い合わせ TEL: 045-770-3471 FAX: 045-770-3479 E-mail: support@nanoanalysis.co.jp 有機物質を含んだ廃液 が少ない、水なし印刷 クfぷ：，・-一方式で作成しました。 2020年4月発行 2023 08 喜虹 廷竺 暉克 発の性物環油 団g□ c分0 0 しま。＞成ー ＠
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