3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕 透過電子顕微鏡(TEM) 3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕によるネオジム磁石解析 FinFETデバイス 断面TEM像 ●● B Fe ●● CN u d ●● DN y ●● A C l o ●Pr 0 10 20 10 5 10 15 20 25 20 30 40 50 60 70 40 60 80 100 120 140 3040 Distance(nm) Cu, Ndを表示 20 解析方向 Concentration(B, Dy, Nd, Co)(atomic%) Concentration(Cu, N)(atomic%) マトリックス 粒界相 マトリックス 20 15 10 5 0 4 3 2 1 0 0 5 10 15 20 Distance(nm) B Dy Nd Co Cu N 粒界相 リチウムイオン二次電池 正極材の結晶構造 サイクル試験品 Diffractgram 層状岩塩型 構造 スピネル型 ＋CdI2型 構造 1µｍ 10nｍ ■ 原子レベルの3次元元素マッピング ■ ナノレベルの断面構造の観察 ■ ナノレベルの微小部構造解析 ■ 試料極浅表面の形状観察 内 容 TEM ■半導体製品のTEM･STEMによる不良箇所(転位・異物)の 直接観察 ■ナノレベルの構造解析 3DAP ■半導体デバイスにおける不純物分析 ■GaN-SBDのリーク転位へのドーパント偏析分析 ■GaN-LEDのMQW異常箇所の観察 ■GaAs系LDにおけるwell層の分析 ■Nb3Al超電導体の積層欠陥分析 ■Ni基超合金のγ相組成分析 ■EBSDで判別したステンレス異相粒界の元素偏析 ■Cu合金中の析出物、粒界偏析分析 ■鉱物焼結体の粒界偏析分析 ■セラミック焼結体の粒界偏析分析 ■セラミックコンデンサの誘電体/電極界面への 元素偏析分析 事 例 ■3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕 ■透過電子顕微鏡(TEM) ■走査透過電子顕微鏡(STEM：HAADF/EELS/EDS) ■走査型プローブ顕微鏡(SPM) ■低加速電圧走査電子顕微鏡 ■原子層堆積装置(ALD) 主要設備 ナノレベルの評価が要求される次世代製品の研究・開発を 先端の設備と高度な分析技術でサポートします ナノ構造解析 3 Toshiba Nanoanalysis 一 一 閏
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