高温X線回折(高温XRD) 昇温脱離ガス分析(TDS) HfOx薄膜の高温XRD測定結果 500 0 1000 1500 2000 2500 強度(cps) 2θ/Ω(°) 25 35 45 55 65 HfO2(PDF34-0104, Monoclinic) 室温 300℃ 450℃ TDSによるSi酸化膜中からの脱離水評価 ■ 極薄膜(nmレベル)の結晶構造解析 ■ 微小部における結晶構造の同定 ■ 薄膜材料の密度、膜厚、ラフネスおよび相分離 (粒径など) ■ 薄膜材料からの脱離ガス分析 内 容 ■HfOx薄膜の昇温過程における結晶構造の変化 ■薄膜Si窒化膜の膜密度や表面粗さ ■Si酸化膜中からの脱離水評価 ■有機材料膜からの発生ガス評価 ■ハイドロキシアパタイト顆粒中の不純物解析 ■TDSによるSi酸化膜の脱離ガス成分分析 事 例 ■X線回折(XRD：高温・粉末・薄膜) ■ラマン散乱分光(Raman) ■昇温脱離ガス分析(TDS) ■加熱発生ガス質量分析(TPD/MS) 主要設備 研究開発から製造技術における様々な薄膜材料について その物理的構造や特性を種々の分析手法を用いて明らかにします 薄膜物性評価 試料ステージ(℃) 0.00E+00 1.60E-09 1.40E-09 1.20E-09 1.00E-09 8.00E-10 6.00E-10 4.00E-10 2.00E-10 Intensity(A) 0 200 400 600 800 1000 吸着水 水素 結合水 m/z1 m/z 2 m/z 17 m/z 18 5 Toshiba Nanoanalysis
RkJQdWJsaXNoZXIy NDY3NTA=