ウェーハ表面の有機物汚染分析 半導体ウェーハ分析 ■ ウェーハメタル分析・吸着イオン分析・吸着有機物分析 クリーンルーム環境分析 ■ クリーンルーム室内外の大気中メタル・イオン・有機物分析 ■ 目的・対象に応じたサンプリングのデザインとサンプリング ■ 建築部材・各種材料アウトガス分析 その他関連技術 ■ 強制汚染ウェーハ(メタル・イオン)、全反射蛍光X線 (TXRF)用標準ウェーハの作製 内 容 ■ウェーハ表面・膜中・バルク中のメタル汚染分析 ■エッチングを用いたSiウェーハの深さ方向の金属汚染分析 ■ウェーハベベル部の拭き取り法による微量金属分析 ■FOUP内汚染評価 ■高圧ガス中の不純物分析 ■フォトマスク上のコンタミネーションの高感度分析 ■強制汚染ウェーハ提供サービス〔ディップ（浸漬）法・噴霧法〕 ■ウェーハ表面の有機物汚染分析 ■金属元素の熱拡散評価 事 例 主要設備 クリーンルームのサンプリングポイント例 半導体デバイスメーカーで培った経験豊かな技術で、極微量成分のサンプリングから分析まで行い クリーンルーム・プロセス評価をサポートします クリーンルーム・プロセス評価 ウェーハ・フォトマスク用流通法前処理サンプリング例 N2 特ガス 薬液供給 ガス供給 薬液 露光 装置 コーター エアーシャフト 外調機 超純水 コンプ レッサー CVD 洗浄装置 拡散炉 エッチャー リソグラフィ室 製造工程室 動力室 FFU ULPA上流 ULPA下流 ULPA上流 装置内部空間 ULPA下流 ガス周辺 リターン 大気 薬液中 CDA 不純物 ガス中 不純物 薬液周辺 大気 CF後 外気 (OA) 超純水中の 不純物 装置周辺大気 オーブン アウト ガス 固体捕集法 液体捕集法 イオン クロマトグラフ ガスクロマトグラフ/ 質量分析 POWER START /STOP MODE UP DOWN POWER START /STOP MODE UP DOWN 10 Toshiba Nanoanalysis ヽ ヽ・ - . ガスクロマトグラフ/ 質量分析 冷却濃縮 吸着剤 ウェーハ 排気 試料ホルダー (石英) 加熱炉 分析面 裏面 ■専用クリーンルーム(メタル分析・イオン分析) ■ウェーハ・フォトマスク用流通法前処理 ■ウェーハメタル分析用自動前処理 ■誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS・ICP-MS/MS) ■飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) ■フーリエ変換赤外分光(FT-IR) ■ラマン散乱分光(Raman) ■イオンクロマトグラフ(IC) ■ガスクロマトグラフ/質量分析(GC/MS) ■シリコンウェーハ分析－ガスクロマトグラフ/質量分析 (SWA-GC/MS) f
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