SnAgはんだ中の微細なAgの分布をEDSで分析 熱履歴によるはんだの組織変化をEBSDで観察 バンプ接合の構造をFIB-SEM/EDSで３次元観察・元素分析 ワイヤボンディングの断面SEM像 ■ 非破壊観察 ■ 構造解析 ■ 材料分析 ■ 不具合箇所の解析 内 容 ■ 3次元X線顕微鏡による内部構造の非破壊形態観察 ■ 超音波顕微鏡による半導体パッケージ内の 異物・剥離有無の非破壊観察 ■ チップの層構造、素子サイズや拡散層構造の観察 ■ 蛍光X線による微小領域のめっき膜厚測定 ■ FIB加工・SEM観察による3次元構造観察とEDS分析 ■ SEMを用いた不具合箇所の形状観察とEDS分析 ■ TOF-SIMSやFT-IRによる 剥離発生箇所・有機系異物の分析 ■ EBSDによる結晶方位解析 事 例 ■ 透過型X線観察装置 ■ 3次元X線顕微鏡 ■ 超音波顕微鏡(SAM) ■ 走査電子顕微鏡(SEM) ■ 原子間力顕微鏡(AFM) ■ 走査型静電容量顕微鏡(SCM) ■ 集束イオンビーム(FIB) ■ イオンミリング ■ エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-μXRF) ■ 電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS) ■ 電子後方散乱回折(EBSD) ■ フーリエ変換赤外分光(FT-IR) ■ 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) 主要設備 購入品の半導体製品についてデザインルールの調査やパッケージ・実装の非破壊検査から物理解析まで 一貫した解析により不具合の原因を特定し、製品開発・歩留まりや信頼性の向上に寄与します 半導体パッケージ・実装解析 8 Toshiba Nanoanalysis 一 ‘、 .14
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