SCM像 SCM+AFM合成像 断面SEM観察による不良箇所の形状確認 SCMで拡散層の断面形状を観察 全体像 拡大像 故障箇所をOBIRCHで特定 ■ 非破壊観察 ■ 故障箇所特定 ■ 不具合箇所の解析 内 容 ■ 3次元X線顕微鏡による内部構造の非破壊形態観察 ■ OBIRCHやPEM(EMS)を用いた不具合箇所の特定 ■ SEM・TEMを用いた不具合箇所の形状観察とEDS分析 ■ FIB加工・SEM観察の繰り返しによる3次元構造観察と EDS分析 ■ SCMや3DAP(APT)による半導体内部の拡散異常の観察 ■ SEM/EDSやTEM/EDSによる不具合箇所の成分分析 事 例 ■ 3次元X線顕微鏡 ■ 光ビーム加熱抵抗変動解析(OBIRCH) ■ フォトエミッション顕微鏡〔PEM(EMS)〕 ■ イオンミリング ■ 集束イオンビーム(FIB) ■ 走査電子顕微鏡(SEM) ■ 電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS) ■ 3次元アトムプローブ〔3DAP(APT)〕 ■ 透過電子顕微鏡(TEM) ■ 原子間力顕微鏡(AFM) ■ 走査型静電容量顕微鏡(SCM) 主要設備 半導体製品の故障箇所特定から物理解析まで一貫した解析により不具合の原因を特定し 製品開発や歩留まり・信頼性の向上に寄与します 半導体解析 7 Toshiba Nanoanalysis ~ l 9, 1 ー
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