自動化二次イオン質量分析(SIMS) 低加速電圧走査電子顕微鏡 二次イオンイメージ（P） 半導体チップのSIMS分析データ 濃度プロファイル（P） ブルーレイディスク表面の観察 記録箇所 Specie：31P ■ 表面分析のための前処理(斜め切削・裏面研磨) ■ 表面の形状観察 ■ 表面の元素組成・状態の分析 ■ 表面の元素分布の分析 ■ 表面の化合物分析 ■ 薄膜深さ方向における組成・結合状態の分析 ■ 薄膜深さ方向における不純物分布の分析 内 容 ■ 多層構造における下層膜・埋もれた界面の状態分析 ■ ゲート電極・酸化膜界面の不純物分析 ■ 裏面研磨技術を用いたSIMS分析 ■ SIMS分布の精確な深さ校正 ■ 有機薄膜の深さ方向分析 ■ 金属多層膜の深さ方向・状態分析 ■ 高濃度マトリックス中に含まれる微量成分の分析 ■ 錠剤断面における薬剤成分の分布評価 ■ TOF-SIMS分析の微小試料・凹凸試料分析への応用 事 例 ■X線光電子分光(XPS) ■電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS) ■二次イオン質量分析(SIMS) ■飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) ■低加速電圧走査電子顕微鏡 主要設備 表面の化学組成、結合状態や不純物分布などを詳しく調べ 研究開発、製造プロセスおよび不良解析に役立つ情報をご提供します 表面分析 4 Toshiba Nanoanalysis ロ
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