3次元アトムプローブ解析事例集 3 21-102(1) Mgの3DAP像 針状試料のSTEM像 100nm 3DAP 分析 Mg 50nm 3DAP分析の流れ 事例1 Si超格子の深さ方向高分解能解析 極微小領域[φ50×30(nm)]における、1nm間隔に積層された質量数の異なるシリコン(28Siと30Si)を明確に 分離しました。 Si超格子の深さ方向濃度プロファイル Distance (nm) 4 0 6 8 2 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Concentration (%) 14 10 16 18 12 20 28Si 30Si (nm) 0 20 10 -10 -20 55 60 65 70 75 80 (nm) 30Si 28Si++ 30Si++ 2400 2000 1600 1200 800 400 0 Count 13 15 14 16 Mass Spectrum 20 -20 30 40 -40 -30 10 -10 0 (nm) 20 40 60 80 100 120 (nm) 保護膜 Si基板 Si超格子 3DAP像 ※試料ご提供元：慶應義塾大学 伊藤研究室 様 サンプル受領 針状試料作製 3DAP 測定・解析 ご報告 着目箇所に合わせて、さまざまな方向から 針状試料を作製します。 GaN 表面 ピットの SEM像 1μm 1μm 断ピッ面 ト直下の STEM像 500nm 転位 FIB-SEMに加え、STEM観察を併用することで、特定箇所を狙った針状 試料を作製・観察し、3DAP分析を行うことが可能です。 積層サンプルからのFIB加工イメージ図 針状試料加工 針転状位試を料含作む製 ※試料ご提供元：名古屋大学 天野研究室様 転位
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