3次元アトムプローブ解析事例集 11 20-045(2) Mg原子の分布と面内濃度ばらつき シリコン・ドリフト型EDS検出器(SDD)4台を搭載したSTEM装置を適用することで、高感度で明瞭な元素 マッピングをご提供できます。 また、短時間でデータ取得が可能なため、試料へ電子線ダメージを最小限に抑える ことができます。 LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各 ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られています。 しかし、 Inドープ層の厚さは数nmしかなく、詳細に分析できる手法は限られています。 このようなケース では、高感度STEM/EDSおよび3次元アトムプローブ(3DAP)は有効な分析手法であり、これらの 手法で評価した事例をご紹介します。 高感度EDSによるマッピング p-GaN層中のMg分布 従来EDS像 測定時間60分 In 測定時間10分 In 高感度EDS像 30nm 断面STEM像 測定時間10分 In 各等濃度面による濃度ばらつき Mg原子分布とクラスタ クラスタ 20 Mg原子濃度分布 2D Concentration Plot-Z-axis (Mg) 解析範囲：φ60nm MQW p-GaN AlGaN SLs 50nm 3DAP像 LEDでは、量子井戸構造の活性層をp型とn型半導体で挟んだpnダイオード構造を有し、外部電源からp型 半導体を通じてホールが供給され、n型半導体を通じて電子が供給されます。 一般的なInGaN量子井戸(MQW) 構造をもつLEDでは、主にMgをアクセプタとしてドープすることでp型化を実現しています。 3DAP解析により、 層中のMgはクラスタ化しており、局所的な分布をもっていることが分かります。 高感度STEM/EDSと3DAPによるLED解析 Sensitive STEM/EDS and APT Analysis of LED Devices 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 0
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