3次元アトムプローブ解析事例集 強磁性半導体の磁性元素の分布 磁気特性に強く影響する磁性元素(Mn)の添加濃度が異なる二つの強磁性半導体(ZnSnAs2)薄膜について、 Mn濃度変化およびクラスタリング分布を3DAPで評価しました。 (本検討は、長岡技術科学大学内富先生との共同研究により行われたものです) 強磁性半導体において磁気特性に強く影響する磁性元素のクラスタリング分布を3DAP (3次元アトムプローブ)を用いて分析します。 強磁性半導体の分析 Ferromagnetic Semiconductor 0 1 2 3 4 5 0 20 40 60 80 Mn3.6% Mn2.1% ZnSnAs2薄膜中Mnの深さ方向濃度プロファイル ZnSnAs2薄膜(Mn) 強磁性半導体(ZnSnAs2) 薄膜の模式図 (Mn：2.1、3.6 atomic% 添加) 【Mn】Concentration (atomic%) Distance (nm) 4 atomic% 8 atomic% 12 atomic% 等濃度面法によるMnクラスタリング分布の可視化 Buffer InP Substrate ZnSnAs2 Buffer ZnSnAs2：Mn 3次元で可視化することにより、1次元（濃度プロファイル）では 観察できない分布を得ることができます。 Mn：3.6 atomic% ZnSnAs2(Mn) InP Buffer 10nm Mn：2.1 atomic% ZnSnAs2(Mn) InP Buffer Z S n n I A n s M P n 強磁性半導体(ZnSnAs2) の3DAP像 19-046(1) 10
RkJQdWJsaXNoZXIy NDY3NTA=