X線光電子分光(HAXPES・XPS) 5 18-136(5) • 厚膜試料のバルクの評価(二次電池など) • 積層膜などの多層膜界面の評価(ゲートスタック・GMR・MRAM) • 後酸化・潮解性を有する膜に対するキャップ越しの評価 • 太陽電池の透明電極や透明半導体のin-gap state評価(ZnO・IGZOなど) • 電極/GaN構造のバンドアライメント・ベンディング評価 • 2p・2s軌道間の重なりやオージェピークが重なる試料(FeCo・GaNなど)の評価 • 全反射条件下でのHAXPES分析で高スループットな深さ方向分析 用途 事例2 多層膜(メタル/絶縁膜) 試料の測定(HAXPES) (積層試料＝実際の試料構造で測定できます) Al2O3 1nm メタル1 3nm メタル2 3nm ラボ型XPS メタル3 ラボ型XPS hν=8keV hν =1.5keV メタル Al1s HAXPES (SPring-8) メタル1 HAXPES Binding Energy (eV) Binding Energy (eV) c/s c/s 2200 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 10 15 5 0 10 5 9 8 7 6 4 3 2 1 0 2200 2000 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 • • • 検出深さが深いため、最表層にキャップ膜 (～10nm)が存在しても下層のAl酸化物 を十分検出できます。 右図では3nmの キャップ膜を有するAl2O3膜の測定例を 示します。 深いエネルギー準位(たとえば、Al1s)は、 ラボ型XPSでは励起が困難であるのに 対し、HAXPESでは検出可能です。 また、断面積が大きいため、薄膜や微量の 場合でも感度良く測定できます。 酸化しやすい材料や潮解性を持つ材料に ついて、表面キャップにより大気曝露に よる変質がない状態で、そのままキャップ 越しに測定が可能です。
RkJQdWJsaXNoZXIy NDY3NTA=