X線光電子分光(HAXPES・XPS) 4 18-136(5) 事例1 深さ方向でのベンディングプロファイル オージェピークの重なり回避 ラボ型XPSでは、光電子ピークとオージェピーク(上図ではCo LMM・Fe LMM)が重なる場合があります。 HAXPESを用いることでオージェピークの位置を変え、各ピークを個別に解析することができます。 390 N1s np -- GG aa NN P+-GaN Intensity 405 400 395 Binding Energy (eV) p-GaN、p+-GaNのスペクトルにおける、高エネルギー側へのテール(裾)の引き方により、バンドベンディング の大小を解析することができます。 形成された電極とのバンドアライメントを評価すれば、コンタクト抵抗の大小を比較できます。 CoFe試料のCo2pおよびFe2pスペクトル(ラボ型XPSとHAXPESの比較) p-GaNおよびp+-GaNのバンドベンディングの評価(HAXPES) ラボ型XPS Intensity (a.u.) HAXPES 730 720 710 Fe2p Fe2p Co LMM Fe-O FeCo Fe-O FeCo Binding Energy (eV) Binding Energy (eV) Co2p 800 790 780 Fe LMM Co-O FeCo Co2p Binding Energy (eV) Binding Energy (eV) Co-O Intensity (a.u.) FeCo ラボ型XPS HAXPES データご提供元：株式会社東芝 吉木様 〔放射光22(1), 20 (2009). 〕 Depth (nm) 0 5 10 15 20 Depth (nm) 0 5 10 15 20 0.9 1.3 1.7 2.1 2.5 2.9 0.3 0.7 1.1 1.5 1.9 2.3 p-GaN p+-GaN VBM Energy(eV) N1sスペクトルと光電子脱出確率から計算した バンドベンディングプロファイル 730 720 710 800 790 780
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