3次元アトムプローブ解析事例集 分析箇所の採取(リフトアウト法) 3DAP(3次元アトムプローブ)で測定を行うためには、分析対象となる試料を先端径数十nm 程度に尖らせた針状に成形する必要があります。 通常この針状試料作製は、FIB(Focused Ion Beam)を用いて行います。 FIBを用いることで、金属材料の粒界や半導体デバイスの特定 トランジスタなど、特定領域をピンポイントで狙って針状試料にすることが可能です。 FIB加工による3DAP分析用針状試料作製 Sample Preparation for APT Analysis using FIB Technique リフトアウト法にて採取した試料片は、FIBによって先端径50～100nmφ程度の針状に成形します。 FIBを用いて、分析箇所を含んだ十数μm×2μm程度の試料片を採取し、ポストに固定します。 採取した試料片を分割して複数のポストに載せることで、1回のリフトアウトで複数の針状試料を作製します。 試料片を回転させた横方向・上下反転(裏面)加工も可能です。 試料片の針状加工 専用試料台の準備 クーポンと呼ばれるSi製 のプレート上には、ポストと 呼ばれる3DAP専用試料台 が並んでいます。 ポストの先端は約2μm径 のサイズで、その上に針状 試料を作製します。 試料片の外周を削る 4μm プローブによる試料片の採取 4μm ポストに試料片を固定 ポスト 試料片 4μm ポスト 試料片 1μm 1μm 1μm φ50～100nm 1μm クーポン 1mm ポスト(専用試料台) 50μm 6 18-188(1)
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