3次元アトムプローブ解析事例集 3DAP・STEM/EDS・SIMS分析結果 アイランド構造を有する緑-黄色発光LEDを分析した結果、Mgアクセプタのクラスタ形成および拡散・結晶⽋陥 偏析・アイランド構造の形状が分かりました。 (本検討は、東京大学先端科学技術研究センター 杉山先生との共同研究により行われたものです) SIMS・STEM・3DAPによるLED複合分析 SIMS, STEM and APT Combination Analysis of LED Devices アクセプタ A S D L F s : GaNをp型化する不純物 : 超格⼦ : Annular Dark Field (環状暗視野) 20nm 20nm M In g N Al Ga 結晶欠陥を可視化 Mgクラスタ形成を可視化 3DAP STEM/EDS 3DAP像 ADF像20nm p-AlGaN AlN/InGaN/AlN SLs p-GaN GaN アイランド構造および超格子構造を可視化 SIMS 深さ方向分析 Depth (nm) Al→ ←Mg Ga→ In→ Secondary Ion Intensity (counts/s) Concentration, Mg (atoms/cm3) 0 50 100 150 200 1E21 1E20 1E19 1E18 1E17 1E16 1E6 1E5 1E4 1E3 1E2 1E1 AlN/InGaN/AlN SLs GaN p-GaN p-AlGaN Al Mg In 20nm 等濃度面法による アイランド構造の可視化 I A n l Mg ： 6 ：12 ： 0.3 Mgの拡散を確認 20nm 化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。 これら デバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥、不純物の分布や濃度などの制御は、 デバイスの特性や信頼性向上に不可欠となっており、3DAP・STEM/EDS・SIMSを用いて複合的 に分析しました。 a a t t o o mm i i c c %% atomic% 19-050(2) 13 20nm Al In
RkJQdWJsaXNoZXIy NDY3NTA=