3次元アトムプローブ解析事例集 19-073 15 GaNエッチピット直下の転位の3DAP分析 GaN自立基板上縦型pnダイオードにおいて、エッチピット直下の貫通転位付近の3DAP分析を行い ました。 その結果、ピットによって転位へのMg偏析の有無が異なることが分かりました。 TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。 GaNエッチピット直下転位の分析 Dislocations under GaN-pit (本検討は、名古屋大学天野研究室との共同研究により行われたものです) 断ピッ面 ト直下の STEM像 ピットの表面SEM像 ピットの概略図 転位 1μm 1μm 500nm 転位 針状試料のSTEM像 Mg 100nm 転位にMgが偏析していない Mgの3DAP像 分析領域 50nm 転位にMgが偏析している Mgの3DAP像 針状試料のSTEM像 100nm 分析領域 Mg 50nm 一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプローブ)の有用性が認められて います。 STEM観察と3DAP分析を同一試料で実施することで、構造・結晶欠陥と添加元素の 原子偏析位置の関連性について評価できます。
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