X線光電子分光(HAXPES・XPS) 2 放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価 HAXPES Analysis for Buried Interface by Synchrotron Radiation X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法 です。 ラボ型XPS(Al Kα:1.5keV)では、3nm程度の極表面の評価に限られますが、外部施設を 利用した硬X線光電子分光(HAXPES)：8keVにより、多層構造や実デバイスに近いスタック構造の 埋もれた界面など、より深い領域の評価が可能となります。 概要 励起エネルギーが高いほど 光電子の運動エネルギーが増大 ⇒ 検出深さが大きくなり、 より深い領域の評価が 可能となります。 試料表面 光電子 硬Ｘ線 8keV 検出深さ (＞10数nm) 軟Ｘ線 3keV未満 検出深さ (～数nm) 励起X線の違いによる比較例 〔試料：SiO2(9.4nm)/Si基板〕 HAXPES (8keV励起) Si1s Intensity (a.u.) Binding Energy (eV) 1849 1845 1841 1837 Si-O Si基板 HAXPES (8keV励起) Si2p 108 Bind10in4g Ener1g0y0(eV) 96 Si-O Si基板 ラボ型XPS (1.5keV励起：AlKα) Si2p 108 Bind1in0g4 Ener1g0y0(eV) 96 Si-O Si基板 SPring-8のHAXPES装置 写真ご提供元：(財)高輝度光科学研究センター 8keV ラボ型XPS装置(Al Kα) 1.5keV ※HAXPES測定は、外部放射光施設を利用するため、利用手続きから測定までにある程度の時間をいただきます。 18-136(5)
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