飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS) 3 17-215(3) 事例1 Siウェーハ表面の有機汚染分析 Intensity m/z 有機汚染したSiウェーハ表面のマススペクトル 拡大 x105 x10 x100 100 200 300 400 500 600 700 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 2 9S i S iH C H O C H3N C2H5 2 8 . 9 4 2 8 . 9 8 2 9 . 0 2 2 9 . 0 6 0.1m/z m/z SiH CHO CH3N C2H5 29Si 28.94 28.98 29.02 29.06 0.1m/z間に5本のピークを分離可能 無機元素と有機成分の両方を検出 シロキサンやフタル酸エステルなど の有機汚染を確認 C2H5 Si C16H23O4 C8H5O3 C7H7 C6H5 Si2CH3O2 Si2C3H9O2 Si2C5H15O SiC3H9 Si3C5H15O3 SiHO SiCH3 事例2 指紋のマッピング分析 人体由来の無機成分・有機成分を検出 Na＋ 253C 16H29O2－ F － Ca+ 印刷顔料 30mm 脂肪酸 ヘアリンス 汗 光学顕微鏡像 3次元イメージ： 任意成分での3次元イメージングが可能です。 異常成分の同定と分布の確認ができます。 Ti Cu W Z (1μm) Ti,Cu,Wの合成像 不具合箇所 事例3 半導体製品 不具合箇所の3次元イメージング(O2イオンスパッタ)
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