二次イオン質量分析 (SIMS) 高性能磁場型SIMS High Performance Magnetic Sector SIMS 特徴 (1) 高感度測定(高い透過率) • Ag,Hf,Ru,Ta,Wなどの重元素が高感度で測定が可能 (2) 高質量分解能(M/ΔM=～10,000) • Si,SiO2中のP,Ge,Ni,Co,Alなどが高精度で測定が可能 (3) 極低エネルギー分析(100eV)から通常分析まで様々な測定が可能 • 極浅領域の深さ方向分析に特に有効 (4) 高輝度イオン銃搭載(RFプラズマ酸素イオン) (5) 高い繰り返し精度での自動測定、測定可能試料数25個 (6) 一次イオン(酸素)および吹付けに同位体酸素18O2の利用が可能 • 界面効果を抑制する測定にて、SiO2/Si材料などの界面位置を 特定することが可能 SIMSは、すべての元素を高感度で深さ方向分析できる装置です。 低エネルギー分析でも 高感度かつ高質量分解能分析が可能な高性能SIMSによって、難易度の高い、極浅領域に おける高精度な測定が可能となりました。 これにより、微細化や材料の多種多様化が進む 半導体デバイスへ適用できるようになりました。 高感度・高質量分解能・高深さ方向分解能の三つの特徴を備えるSIMS 極低エネルギーイオン照射による分析 高い繰り返し測定精度(O2 + 500eV) 1E+01 1E+02 1E+03 1E+04 1E+05 1E+06 1E+07 1E+16 1E+17 1E+18 1E+19 1E+20 1E+21 1E+22 0 20 40 60 80 100 120 140 Depth (nm) Boron Repeatability RSD＝0.53% (Cross holder) 不連続で10測定 B Concentration (atoms/cm3) Si Secondary Ion Intensity (counts/s) Silicon P Concentration (atoms/cm3) 1E+17 1E+18 1E+19 1E+20 1E+21 1E+22 1E+23 0123456789101112 Depth (nm) Phosphorus 150eV 250eV 150eVの極低エネルギー照射で より正確な分布 ※装置写真ご提供元：アメテック株式会社 カメカ事業部 様 14-069(7) 9
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