二次イオン質量分析 (SIMS) 高機能自動化SIMS High Performance Automatic SIMS 二次イオン質量分析(SIMS)は、全元素に対して高感度かつ高質量分解能測定での深さ方向 分析が可能です。 さらに当社では、試料導入から分析までの自動化機能を加え、高精度な自動 測定が可能になりました。 それによって、短期間で回答が求められる半導体デバイスなどの プロセス開発や不良解析への迅速なフィードバックを行うことができます。 特徴 • 高感度測定 ・ Ag,In,Sbなどの重元素の高感度測定が可能 • 高質量分解能測定 ・ M/ΔM=～10,000 ・ SiやSiO2中のP,Al,Fe,Niなどの汚染量評価が可能 • 高い繰り返し精度での自動測定 ・ 試料入れ替え不要のため、短期間での対応が可能 ・ 全自動ストレージチャンバー搭載：自動化された試料搬送系 ・ 測定可能試料数：最大24個(連続測定) ・ 格納式Cs+銃：Cs+/O2 + 銃の自動切り替えにより、多様な分析に対応可能 装置外観 全自動ストレージチャンバー外観 自動測定回数 測定ドーズ量 1 7.84E+13 2 7.87E+13 3 7.86E+13 4 7.84E+13 5 7.96E+13 6 7.92E+13 7 7.96E+13 8 7.85E+13 9 7.85E+13 10 7.95E+13 11 7.95E+13 12 7.99E+13 RSD (%) 0.71% 高い繰り返し精度での自動分析 抽出した領域の深さ方向分布 二次イオンイメージ Pプロファィル 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Depth (μm) 1E+21 1E+20 1E+19 1E+18 1E+17 1E+16 1E+15 1E+14 Concentration (atoms/cm3) データ 抽出領域 約60μm 約60μm 49 0 Specie: 31P スパッタ領域の二次イオンイメージ から、分析後に任意領域1)の深さ 方向分布の抽出が可能 1) 最小：数μm×数μm • 微小部分析 ・ Bプロファイル Concentration (atoms/cm3) Depth (μm) 1E+20 1E+19 1E+18 1E+17 1E+16 1E+15 1E+14 1E+13 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 15-036(7) 8
RkJQdWJsaXNoZXIy NDY3NTA=