二次イオン質量分析 (SIMS) 6 20-111 特徴 SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部より も高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じます。 当社では、『ISO 23812：2009』に準拠した、浅い深さ方向分布(Si)の深さ校正法の導入により、 深さ軸が精確(高真度・高精度)な評価が可能になりました。 分析深さ：Di Di ＝ r ti + L (式1) ti r L ：任意の分析点のスパッタ時間 ：スパッタ率 ：シフト距離 多層デルタドープ試料(B)の深さ方向分布 【TEM校正試料】 極表面に注入されたBの深さ方向分布 【深さ校正有：精確な深さ評価が可能】 Boron concentration (atoms/cm3) Depth (nm) 深さ分布のシフト距離 スパッタ率 Boron ion intensity (counts/s) Depth (nm) Sputtering time (s) 0 4 8 12 16 20 24 1E+05 1E+04 1E+03 1E+22 1E+21 1E+20 1E+19 1E+18 1E+17 0 5 10 15 20 ー深さ校正無 ー深さ校正有 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 TEM観察で各層の深さを校正された多層デルタドープ試料を 使用することで、Si表面近傍の浅い領域における精確な深さ 校正を行います。 多層デルタドープ試料の深さ方向分布(左下図)から、試料内部 のスパッタ率、表面近傍での増速スパッタ効果による深さ方向 分布のシフト距離を求め、式1に従って深さ軸を校正します。 右下図に、極表面に注入されたBの深さ方向分布を示します。 このように、表面付近の浅い不純物注入プロファイルについて 精確な深さ評価が可能になります。 浅い不純物注入プロファイルの精確な評価 Accurate Evaluation of Impurity Implantation Profiles near Surface
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