二次イオン質量分析 (SIMS) 用途 • イオン注入された不純物の深さ濃度分布評価 • 膜中の軽元素不純物、金属汚染の評価 • 多層膜構造における層構成、元素の拡散や界面偏析などの評価 • 各種化合物半導体における不純物分布評価 5 事例5 • パワーMOS基板中の軽元素評価 パワーMOS製品において、基板中で結晶欠陥の原因となる軽元素(H,C,N,O,F)について評価しました。 市販品のパワーMOS製品を分解してチップを取り出し、上層膜を除去後に基板表面からSIMSによる分析を 行いました。H, N, Fは検出下限値レベルであるのに対して、C, Oは基板中に含まれることが分かります。 このように、SIMSは材料中の軽元素、特にHについて評価可能な数少ない手法の一つです。 パワーMOS外観 チップ取り出し パワーMOS基板中の軽元素評価 1E+00 1E+01 1E+02 1E+03 1E+04 1E+05 1E+06 1E+15 1E+16 1E+17 1E+18 1E+19 1E+20 1E+21 0 2 4 6 8 10 12 Secondary Ion Intensity (counts/sec) Concentration (atoms/cm3) Depth (μm) Epi Sub 検出下限 HO FC N ←H ←F ←C As→ ←O ←N Si→ ※元素の横の矢印は参照する縦軸を示しています 20-105
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