二次イオン質量分析 (SIMS) 4 20-105 1E+14 1E+15 1E+16 1E+17 1E+18 1E+19 1E+20 1E+21 0.0 1.0 2.0 P Concentration (atoms/cm3) Depth (μm) 10 15 20 25 30 35 1E+15 1E+16 1E+17 1E+18 1E+19 1E+20 1E+22 1E+23 11B Concentration(atoms/cm3) Depth (nm) 250eV 350eV 500eV Sample: B 200eV Implanted Si Wafer SIMS measurement Primary Ion: O2 + Energy: 250eV・350eV・500eV 0 5 1E+21 事例3 事例4 • 高質量分解能によるSi中31Pの深さ方向分析 Si中にイオン注入された31Pについて評価しました。 Si中における31Pは、質量数の近接した30SiH、29SiH 2、28SiH 3が妨害イオンとして存在することから、通常の測定 では真の値より高く検出されてしまいます。 磁場型SIMSでは、これらの妨害イオンを高質量分解能（M/ΔM～10,000 1万分の1の質量差識別） で分離することによって、31Pについて真の分布評価が可能です。 質量数 (mass) 29SiH 2 28SiH 3 Intensity (count/s) 30SiH 30.99 31.01 31.03 106 105 104 103 102 101 100 • 極表面にドーピングされたBの深さ方向分析 極表面にドーピングされた浅いBの分布について、 3つの一次イオンエネルギー条件[250/350/500(eV)] にて評価しました。 急峻な分布領域(～10nm)において、350eV、500eV ではBが深さ方向に押し込まれており、250eVと比べて 深さ方向分解能が不十分であることが分かります。 実試料の分布に適した一次イオンエネルギー条件の 選定が必要です。 31P －通常の測定 －高質量分解能 質量数の近接した30SiH, 29SiH2, 28SiH3を高質量分解能 で分離し31Pを分析できます 高質量分解能 における31P 通常の測定における31P 質量数31.01付近の質量スペクトル 高質量分解能による31Pの深さ方向分析 極表面にドーピングされたBの深さ方向分析
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