二次イオン質量分析 (SIMS) 3 20-105 • Si同位体超格子の深さ方向分析 Si同位体超格子[28Si/30Si]について評価しました。 本評価では、低エネルギー条件により、約2nmの 深さ方向分解能が得られています。 一次イオン照射エネルギーを下げることにより、 ミキシング等の影響を抑えて高い深さ方向分解能を 得ることができます。薄膜の積層や急峻な不純物分布 に対して、より真に近い分布情報が取得可能です。 ■試料ご提供元 慶応義塾大学理工学部 伊藤公平グループ 様 30Si 28Si 0 10 2030 40 50 60 70 8090 100 500 400 300 200 100 0 Depth (nm) Secondary Ion Intensity (kcounts/s) 低エネルギー条件で約2nmの 深さ方向分解能が得られています 事例2 Si基板 試料構造 Si同位体超格子 [28Si/30Si]×18cycle Si同位体超格子の深さ方向分析 SiO2 FSG Si基板 1E+18 1E+19 1E+20 1E+21 1E+22 1E+00 1E+01 1E+02 1E+03 1E+04 1E+05 1E+06 F Concentration (atoms/cm3) Secondary ion intensity (counts/s) Depth (μm) O F Si C FSG膜中からの F拡散を正確に 評価できます 0 0.5 1.0 1.5 SiO2 FSG Si基板 • 絶縁物中のFの深さ方向分析 絶縁物中のF分布について評価しました。 Fが下層のFSG膜(Fを添加したSi酸化膜)から上層 のSiO2膜へ拡散していることが分かります。 絶縁物中においても、チャージアップを防ぎながら、 不純物分布の評価をすることが可能です。 試料構造 Fの拡散 絶縁物中のFの深さ方向分析 ※元素の横の矢印は参照する縦軸を示しています 事例1
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