二次イオン質量分析 (SIMS) 13 SiCMOSFETのデバイス解析 Device Analysis of SiC MOSFET by SEM, STEM, sMIM and D-SIMS 断面観察 SiCデバイスの需要が高まるなか、その分析・解析技術に新たなアプローチが求められて います。 今回、SEM・STEM観察とsMIM+SIMS(D-SIMS)複合分析により、デバイスの構造や 局所的なキャリア濃度分布を明らかにしました。 お客様のご要望に合わせた分析・解析サービス をご提供し、製品開発の成功をサポートします。 キャリア濃度分布 N-buffer layer N-drift layer N-Substrate sMIM-dC/dV 像 sMIMキャリア濃度 D-SIMSプロファイル P type N type 5 μm15 10 /cm3 N-drift layer研磨加工 D-SIMS D-SIMSによる濃度校正 SEM観察像 1E+15 1E+16 1E+17 1E+18 1E+19 1E+20 atoms/cm3 sMIM-dC/dV像よりP/N領域が可視化されます。 これにより拡散層の位置関係、上層Al電極直下の 詳細な拡散層形状が得られます。 sMIMは信号と キャリア濃度に線形の関係があるので、任意の 位置のキャリア濃度分布が得られます。 定量精度の高いD-SIMSを用いて、sMIMから 得られた濃度を校正します。 D-SIMSは分析深さと 深さ方向分解能に負の相関があるので、buffer層 手前まで試料を研磨除去し、測定を行いました。 buffer層の窒素濃度を基準に濃度を校正し、 より信頼性の高いsMIMキャリア濃度分布が 得られました。 Aluminum Oxygen Nitrogen Silicon Titanium Carbon EDS像 2 μm Buffer layer Drift layer Substrate Bright Field STEM観察像 1 μm 1 μm 1 μm 1 μm 1 μm 1 μm 1 μm 23-038 D-SIMS: Dynamic SIMS (ダイナミックSIMS)
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