二次イオン質量分析(SIMS) 10 25-121 各種機能 RFプラズマO2ソース 微小部分析(チェッカーボード機能) スパッタ全領域の二次イオン像の投影イメージ より、測定後に任意領域の深さ分布を抽出 Oxygen Leak法 • 界面効果の抑制 • 二次イオン収率の安定 • 一次イオンによるスパッタ表面の面荒れ抑制 高精度自動測定 試料ホルダー(25window) Window run B dose (x1e14cm-2) #1 9.45 #2 9.50 #3 9.60 #4 9.56 #5 9.45 #6 9.70 #7 9.51 #8 9.47 #9 9.63 #10 9.45 #11 9.48 #12 9.70 Std. dev (σ) 0.62% 自動測定でも試料間で高い繰り返し精度を実現 Boron Dose Repeatability 36° O2 Ion gun O2 +: 0.1-10keV RF Plasma Source 60° Cs Ion gun Cs+: 0.15-13keV ※装置画像ご提供元：アメテック株式会社カメカ事業部様 酸素ガスを試料表面に吹付けて表面の酸素 濃度を飽和させる方法 RF Plasma Source外観 Primary O2 Leak 20μm 異種材料膜でも、より正確な分布を取得可能 周辺部の影響を軽減し、微小領域(20μm)でも より正確な分布を取得可能
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