二次イオン質量分析 (SIMS) 目 次 二次イオン質量分析 (SIMS) 浅い不純物注入プロファイルの精確な評価 高濃度層から下層膜への不純物拡散評価 高機能自動化SIMS 高性能磁場型SIMS 3DAP・STEM・SIMSによるLED複合分析 ウェーハベベル評価技術 SiCMOSFETのデバイス解析 SiCn-バッファ層の窒素濃度分析 GaNゲート酸化膜の不純物分析 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P2 ～ P5 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P6 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P7 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P8 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P9 ～ P10 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P11 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P12 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P13 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P14 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ P15 略語 3DAP (APT) AFM EDS SEM SIMS sMIM STEM TEM TOF-SIMS ： 手法・装置名 ：3 Dimensional Atom Probe (Atom Probe Tomography) (3次元アトムプローブ) ：Atomic Force Microscope (原子間力顕微鏡) ：Energy Dispersive X-ray Spectroscopy(エネルギー分散型X線分光) ：Scanning Electron Microscope (走査電子顕微鏡) ： Secondary Ion Mass Spectrometry(二次イオン質量分析) ：Scanning Microwave Impedance Microscopy (走査型マイクロ波インピーダンス顕微鏡) ： Scanning Transmission Electron Microscope (走査透過電子顕微鏡) ： Transmission Electron Microscope (透過電子顕微鏡) ：Time of Flight - Secondary Ion Mass Spectrometry (飛行時間型二次イオン質量分析) 1
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