クリーンルーム環境評価 6 25-071 高圧ガス中の不純物分析 Sampling and Impurity Analysis of High-Pressure Gas 分析対象とサンプリング手法 事例 CDAラインガス評価 半導体やFPDなどの製造プロセスにおいて、プロセスに使用する様々な材料やガスの清浄化 が求められます。 高圧エア・CDA(クリーンドライエア)・N2やArガスなどのガスラインから、目的の 不純物に応じたサンプリング手法を選択し、高感度分析を実施します。 目的のガスラインに適切な減圧が可能な独自のサンプリングキットを接続し、分析対象に応じたサンプリング 分析を行います。 CDA分析(ラインパージ前) OH O Si Si O O Si O Si Si O O Si 環状シロキサン 構造式(一例) 油分 環状シロキサン BHT BHT構造式 0 6.00 8.00 10.00 12.00 14.00 16.00 18.00 20.00 22.00 24.00 500000 1000000 1500000 2000000 2500000 時間(min) アバンダンス アバンダンス CDA分析(ラインパージ後) 0 6.00 8.00 10.00 12.00 14.00 16.00 18.00 20.00 22.00 24.00 500000 1000000 1500000 2000000 2500000 時間(min) CDAラインのサンプリングによる不純物分析にて、油分・環状シロキサン・BHT(ジブチルヒドロキシトルエン)な どの有機不純物を検出しました。 ラインのパージ前後の分析結果を比較すると、有機不純物はパージ後に低減 することが分かり、有機不純物の除去にパージが有効であることを検証できました。 有機不純物(吸着剤で捕集) イオン・メタル不純物(純水でバブリング捕集) : イオン成分⇒ F-,Cl-,NO2 -,NO3 -,SO4 2-,PO4 3-、 ギ酸・酢酸・NH4 +・アミン類など : インピンジャー : IC (イオンクロマトグラフィー) : メタル成分⇒ Na,Fe,Cr,Cuなど : インピンジャー : ICP-MS (誘導結合プラズマ質量分析) • 対象 • サンプリング • 分析手法 • 対象 • サンプリング • 分析手法 : 有機溶剤成分・環状シロキサン・フタル酸エステル系成分・油分 : 吸着剤 : GC/MS (ガスクロマトグラフィー質量分析) • 対象 • サンプリング • 分析手法 吸着剤 インピンジャー
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