クリーンルーム環境評価 H 対応可 He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S ClAr K CaSc Ti V CrMnFeCoNiCuZnGaGeAsSe Br Kr Rb Sr Y Zr NbMoTc RuRhPd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe CsBa HfTa W ReOs Ir Pt AuHgTl Pb Bi PoAt Rn Fr Ra ディップ法 噴霧法 汚染方法 浸漬、スピン乾燥 霧状噴霧塗布 汚染形態 フィルム状 粒子状 対応ウェーハ 100～300mm Bare-Siのみ ～300mm パターン付も可 汚染領域 表裏全面 片面のみ 任意領域も可 汚染濃度範囲 ×109～1014 ×109～1015 強制汚染ウェーハの作製 強制汚染ウェーハの使用例 半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染した ウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元素や領域 (片面・両面)の選択が可能です。 また、全反射蛍光X線分析(TXRF)にてSiウェーハ上の金属分析 を行う際に、標準ウェーハとしてご使用いただけます。 強制汚染の種類と特徴 汚染方法 ディップ法 または 噴霧法 2枚同時作製 検査証を添付し出荷 作製した1枚を分析して値付け 誘導結合プラズマ質量分析 (ICP-MS) イオンクロマトグラフィ－ (IC) 製品の特性確認 検査装置 電気特性評価 任意層を 強制汚染 成膜などの 次プロセス TXRFの検量線校正 標準ウェーハ 検量線の校正 TXRF 洗浄装置の効果確認 ウェーハ洗浄装置 汚染量分析 強制汚染 ウェーハ 2) 1）裏面への回り込み1%以下 2）元素・ウェーハサイズにより応相談(単位：atoms/cm2) 汚染対象元素 300mmウェーハの面内濃度分布を多点TXRF測定 により確認しました(外部機関で測定)。 ディップ法1×1014 atoms/cm2 噴霧法3×1015 atoms/cm2 面内分布均一性(参考データ) 6) 面内分布均一性について、保証するものではありません。 6) 6) 1) 任意領域汚染例（噴霧法） 不純物回収 2) -150 -100 -50 50 100 150 -150 -100 -50 50 100 0 0 150 -150 -100 -50 0 50 100 150 150 -150 -100 -50 50 100 0 ICP-MS 10000 0 150 -150 -100 -100 -150 -50 -50 50 50 100 100 0 0 150 多点TXRF測定結果(Fe) 汚染領域 Fe 中央 100mmφ 30点： RSD%=14 中央 100mmφ 30点： RSD%=5 Ni Ni 強制汚染ウェーハ提供サービス Si Wafer with Controlled Contamination Level 3) 4) 5) 3)NH4 + 4 ) SO4 2- 対応可以外の元素も応相談 5) 標準溶液、ウェーハのご提供が必須となります。 21-120(1) 14
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