クリーンルーム環境評価 11 16-228(3) 露光装置周辺のケミカル成分評価 半導体製造工程の心臓部であるリソグラフィ工程の品質を維持・改善するための評価技術を ご提供します。 特に装置内および装置を設置するクリーンルーム環境は、高い清浄度が要求 され、個別の環境・清浄度評価が必要となります。 当社は、これらのお客様のニーズに応じた評価技術をご提供します。 対象成分 サンプリング 測定方法 • イオン成分(NH4・SO4・アミン類・有機酸など) • 有機成分(炭化水素・油分・シロキサンなど) • 金属類 • 大気－固体捕集・液体捕集 • ウェーハ・フォトマスク表面回収 • ガス・液体など直接捕集 • イオンクロマトグラフィー(IC) • ガスクロマトグラフィー質量分析(GC/MS) • ICP質量分析(ICP-MS) (1) クリーンルーム環境 (2) ケミカルフィルター (6) フォトマスク表面汚染 (8) 搬送経路 (4) 装置内空間 (7) 供給ガス類 (9) 薬液・循環水類 (5) ウェーハ表面汚染 (3) 構成部材アウトガス 工程で発生する問題とサンプリング箇所 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) 光学系照度劣化(レンズ/ミラー・フォトマスク) ○ ○ ○ ○ ○ レジスト塗布ムラ・形状不良(T-top) ・剥がれ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 液浸溶液の汚染 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ケミカルフィルター能力低下 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 循環水汚染・漏洩 ○ ○ ○ ○ 装置外ケミカル成分持ち込み ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 搬送系汚染(ケミカル・パーティクル) ○ ○ ○ ○ ○ ○ リソグラフィ工程の品質維持・改善 Controlling the Quality of Lithography Processes
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