クリーンルーム環境評価 10 パッケージ基板を室温から250℃まで加熱したときの発生ガスプロファイルを測定しました。 事例 ボイド発生メカニズムの解明 半導体パッケージの基板にボイドが発生していました。 ボイドの発生原因を特定するために、基板から発生する ガス成分を特定しました。 発生ガス成分の特定(Py/TD-GC/MS) 発生ガスプロファイル(TPD-MS) パッケージ基板を100℃から250℃まで加熱したときに発生するガス成分を特定しました。 発生ガスのトータルイオンクロマトグラム 時間(min) アバンダンス ■ ★ O O OH ★：トルエン ■：2-(2-エトキシエトキシ)エタノール パッケージ基板から発生する主なガス種は、トルエン、2-(2-エトキシエトキシ)エタノールである ことが分かりました。 ：トルエン ：2-(2-エトキシエトキシ)エタノール 発生ガスプロファイル 50 100 150 200 アバンダンス 全発生ガス成分 250 O O OH 温度(℃) 発生ガスプロファイルより、トルエンは50～120℃で発生することが分かりました。 また、2-(2-エトキシエトキシ)エタノールは120℃以降で発生し、180℃付近で発生量がピーク になることが分かりました。 低温側で発生したトルエンと比較して、高温側で発生した2-(2-エトキシエトキシ)エタノールは 残留しやすいため、ボイド発生の要因と推定されます。また、今回検出されたトルエン、 2-(2-エトキシエトキシ)エタノールは基板中に溶剤として含有している成分と考えられます。 25-020(1)
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