3次元アトムプローブ解析事例集 STEMと3DAPによるSiC MOSFET複合分析 STEM and APT Analysis of SiC MOSFET 断面STEM観察・EDSマッピング分析 3DAP分析による欠陥へのAl偏析観察 SiCデバイスの需要は近年高まっており、SiCデバイスを開発する上で結晶欠陥や ドーパント元素分布の評価は重要です。 今回STEM観察と3DAP分析を同一試料で 実施することで、SiC MOSFET中の欠陥へのAl偏析を捉えることができました。 その分析事例 についてご紹介します。 針状試料加工時にSTEM観察を併用することで、欠陥を複数含んだ針状試料を作製することができました。 この試料を3DAP分析した結果、Alの不均一な分布が確認されました。 STEM像の欠陥と3DAPデータのAl偏析の 位置関係から、欠陥にAlが偏析していることがわかりました。 Bright Field 針状試料位置1) Alドープ領域 Oxygen Aluminum2) Nitrogen Nickel Titanium Silicon Carbon EDS像 STEM像 1μm 1μm 1μm 1μm 1μm 1μm 1μm 1μm 1) 3DAP分析用の針状試料(△部)は、断面観察部とは別のAlドープ領域から作製しています 2) ドープされたAlは、EDSマッピング分析では検出されていません 原子マップ 針状試料STEM像 Al 0.45atomic% 等濃度面 ●Ni ●Si ●Al SiC 欠陥 Al偏析 150nm 23-086 8
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