3次元アトムプローブ解析事例集 Al合金のGa-FIB・Xe-プラズマFIB加工比較 A Comparison of Ga-FIB and Xe-PFIB for Sample Preparation of Al Alloys STEM/EDS分析結果 Al合金はGaと反応しやすい特性があります。 当社ではXeイオンビームを用いてFIB加工する ことで、加工によるアーティファクトを抑えたデータの提供が可能です。 今回はこの試料を Ga-FIBまたはXe-プラズマFIBで加工し、STEMと3DAPにて分析した事例をご紹介します。 Ga-FIB加工 Ga Xe Al BF-STEM BF-STEM Al Xe Ga Xe-プラズマFIB加工 粒界に Ga偏析あり 粒界に Xe偏析なし 0 1 2 0 10 20 30 0 1 2 0 10 20 30 69Ga検出 Xe検出 Distance (nm) 試料表面のXe濃度プロファイル Xeイオン 侵入深さ 試料表面の69Ga濃度プロファイル Distance (nm) 全元素マップ 全元素マップ 20nm 69Ga侵入深さ 試料内部 表面 試料内部 表面 Concentration (atomic%) Concentration (atomic%) ●69Ga ●Al ●Si ●Mn ●V ●Fe ●Xe ●Al ●Si ●Mn ●V ●Fe 20nm 20nm 50nm 濃度プロファイル 抽出領域 3DAP分析結果 濃度プロファイル 抽出領域 Y Ga-FIB加工 Xe-プラズマFIB加工 Al合金試料ではXe-プラズマFIB加工により、アーティファクトを抑えたデータの提供が可能です 69Ga等濃度面0.2atomic% Xe等濃度面0.2atomic% 25-004 18
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