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コアシェル型ナノワイヤLEDは、n-GaNナノワイヤコアとそれを囲む発光層(MQWs)およびp-GaN層で構成される低電力・高出力の発光デバイスです。複雑な微小・・・
組成比のわずかな違いや不純物が、半導体や磁気記録媒体などに用いられる薄膜の特性に影響を及ぼすことがあります。化学分析の高い繰り返し精度を生かし、特性に影響する可・・・
表面実装部品の防湿梱包からリフローまでをシミュレートし、熱ストレス耐性を評価します。
原子間力顕微鏡(AFM : Atomic Force Microscope)はナノスケールの微小な表面形状を3次元で可視化・数値化できる手法です。
故障発生状況の把握・外観観察・電気特性の取得後に、まず、非破壊で観察して不具合箇所を特定します。次に、試料の特性に合わせた試料作製を行い、不具合箇所を観察・分析・・・
車載向け半導体デバイスの信頼性評価試験では、AEC-Q100、AEC-Q101に準拠した試験にご対応します。
IGBTなどの大型試料からの切り出し、精細な断面加工後にマイクロ~ナノスケールでの結晶組織を観察することにより、応力集中箇所の調査や合金層の同定を行います。
化合物半導体は、発光デバイスや電子デバイスなどに幅広く用いられています。これらデバイスの開発において、構造・界面急峻性・結晶欠陥・不純物の分布や濃度などの制御は・・・
LCDパネルなどの回路接続に用いられる異方性導電フィルム(ACF)は、剥離により接続がオープンする場合があります。基板表面の汚染やACFの硬化不足などの不具合現・・・
装置内ではウェーハの搬送において、プロセスチャンバー内の汚染の引きずり、ウェーハ自体に含まれる電極などの金属、装置からのダストなどコンタミネーションを発生する汚・・・
万能型ボンドテスタを用いて半導体パッケージの各種接合強度を評価します。 治具を交換することで、さまざまな試験条件に対応できます。
SCMは半導体のキャリア分布を2次元で可視化できる手法で、SPMの応用の一つです。
X線光電子分光(XPS)は、数nmレベルの極表面の組成分析が行える表面分析手法です。 また、材料を構成する各元素の電子状態(化学結合・価数・混成・電子相関)も・・・
当社で所有するプラズマFIB〔TESCAN SOLARIS X(Xeビーム加工)〕を用いたGaフリー加工において、SiC拡散層観察での有用性が確認できました。へ・・・
LED内部の蛍光体を3次元的に可視化することで分布の偏りや粒径分布が確認できます。また、得られた3次元像を基に粒度分布解析をすることで、粒子の体積・表面積を統計・・・
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的、3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー・・・
EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)・・・
半導体製造工程において、製品の品質や作業者の安全を確保するためには、使用する製造装置の性能や安全性を管理することが重要です。装置性能の維持や、装置導入・立ち上げ・・・
X線反射率測定(XRR)は、臨界全反射角近傍でのX線の減衰や干渉縞のあるX線のプロファイルと計算で得られたプロファイルをフィッティングさせることで表面(界面)粗・・・
ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
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