半導体パッケージのための化学分析Chemical Analysis for Semiconductor Package
化学分析は、材料や不具合箇所の組成、不純物、デガスおよび熱特性などを明らかにすることができます。パッケージング技術開発や工程トラブルなどにおいて、目的に適した分析手法をご提案し課題解決をご支援します。
- 受託分析サービス
- 半導体パッケージ・実装解析
- 半導体パッケージのための化学分析
半導体パッケージのための化学分析メニュー
| 対象 | 課題・分析 | 分析手法 |
|---|---|---|
| 樹脂 | 樹脂からのアウトガス | GC/MS・TPD/MS・TG-DTA/MS |
| 樹脂の組成・添加剤の分析 | FT-IR・GC/MS・ICP・LC/MS | |
| 樹脂から水や溶媒へ溶出する成分 | IC・ICP・GC/MS・LC/MS | |
| 樹脂とフレームの剥離・樹脂中のボイド | FT-IR・TOF-SIMS・Raman・TPD/MS | |
| 樹脂の熱物性評価 | TMA・DSC・TG-DTA | |
| フレーム | リードフレームの組成・不純物 | ICP |
| リードフレームのめっき厚の非破壊測定 | ED-XRF | |
| はんだ | はんだの組成・不純物 | IC・ICP・GC/MS・LC/MS |
| 実装基板 | 実装基板上の異物・剥離・シミ・ボイド | FT-IR・TOF-SIMS・Raman |
| 実装基板上のフラックス残渣 | LC/MS・IC |
事例 基板に見られたシミの発生源調査
目視検査で実装基板上にシミが確認されました。このシミをFT-IRで分析したところ、トリフェニルホスフィンオキシドが検出されました。モールド樹脂はFT-IR分析からノボラック系のエポキシ樹脂と同定されました。
このことから、シミの発生源として添加剤が疑われ、樹脂を加熱してGC/MSで分析したところ、トリフェニルホスフィンオキシドを検出しました。リフローなどの高温工程で添加剤が気化し、シミになったと推測されます。
FT-IR分析
GC/MS分析
[ 更新日:2024/02/26 ]
