3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析
3DAP (APT) and TEM Analysis of FinFET

FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介します。

高分解能TEMによるFinFETの観察

CPU中のFinFETデバイスについて、直交する2方向(L方向・W方向)から高分解能TEMにて断面観察を行いました。約10nm幅のFinを含む薄片試料を正確に作製することで、High-k膜の形状やSi Finの形状を明瞭に観察することができました。

Fin型トランジスタの模式図、W方向断面TEM像、L方向断面TEM像

Fin型トランジスタの模式図

W方向断面TEM像

L方向断面TEM像

3DAPによるFin内の元素分析

3DAPを用いてFin内の不純物の有無や元素の特定ができました。さらに詳細解析を行うことで、その分布や濃度についても明瞭にすることが可能です。

PMOSの3DAP像
PMOSの3DAP像

NMOSの3DAP像
NMOSの3DAP像

関連情報

[更新日:2019/05/15]

Nano Scale Analysis for 3 Dimensional Semiconductor Device / English

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