3DAPとTEMによるFinFETデバイスの分析3DAP (APT) and TEM Analysis of FinFET
FinFET(Fin Field-effect transistor)の微細構造をTEMと3DAP(3次元アトムプローブ)を用いて複合的に解析した事例をご紹介します。
高分解能TEMによるFinFETの観察
CPU中のFinFETデバイスについて、直交する2方向(L方向・W方向)から高分解能TEMにて断面観察を行いました。約10nm幅のFinを含む薄片試料を正確に作製することで、High-k膜の形状やSi Finの形状を明瞭に観察することができました。
3DAPによるFin内の元素分析
3DAPを用いてFin内の不純物の有無や元素の特定ができました。さらに詳細解析を行うことで、その分布や濃度についても明瞭にすることが可能です。
[ 更新日:2024/02/26 ]
