購入品の半導体製品についてデザインルールの調査やパッケージ・実装の非破壊検査から物理解析まで一貫した解析により不具合の原因を特定し、製品開発や歩留まり、信頼性の向上に寄与します
内容
非破壊検査
構造解析
- SEM、TEM、AFMなどによる形態観察
- SEM-EDS/EPMAによる微小部の成分分析
- イオンミリングによる低ダメージパッケージ解析
- 実装部品の故障解析技術
材料分析
事例
- 3次元X線顕微鏡と高速FIBによるBGAショート箇所の3次元解析
- 超音波顕微鏡による半導体パッケージ内の異物・剥離有無の非破壊観察
- 大型試料の切り出しとEBSD測定
- FIB加工・SEM観察による3次元構造観察とEDS分析
- FIB/SEMによる3次元構造観察
- 白色LEDの蛍光体の分布観察
- 3次元X線顕微鏡によるLED内部の蛍光体の粒度分布測定
- 蛍光X線による微小領域のめっき膜厚測定
- TOF-SIMSやFT-IRによる剥離発生箇所・有機系異物の分析
- ラマン散乱分光による応力/ひずみ分布評価
- 熱履歴によるはんだの組織変化
- 3次元FIB-SEM(EDS)解析
- SEMを用いた不具合箇所の形状観察とEDS分析
- はんだの種類、剥離などの異常の有無
- デザインルール、平坦化プロセス、拡散層の構造観察
- 変色やシミの原因への解析アプローチ
主要設備
- X線観察装置
- 3次元X線顕微鏡(X線CT)
- 超音波顕微鏡(SAM)
- 磁場顕微鏡
- 走査電子顕微鏡(SEM)
- 電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA:WDS・EDS)
- 電子後方散乱回折(EBSD)
- イオンミリング
- 透過電子顕微鏡(TEM)
- 原子間力顕微鏡(AFM)
- 走査型静電容量顕微鏡(SCM)
- 集束イオンビーム(FIB)
- エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-µXRF)
- フーリエ変換赤外分光(FT-IR)
- 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)
- 加熱発生ガス質量分析(TPD/MS・TG-DTA/MS)
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