内容

非破壊検査

• 透過型X線、超音波顕微鏡(SAM)
• 超音波顕微鏡(SAM)による内部構造の非破壊形態観察
• 磁場顕微鏡を用いた故障箇所特定

構造解析

• SEM、TEM、AFMなどによる形態観察
• SEM-EDS/EPMAによる微小部の成分分析
• イオンミリングによる低ダメージパッケージ解析
• 実装部品の故障解析技術

材料分析

• 3次元アトムプローブとEBSDによる鉄鋼材料の分析
• めっき膜厚測定
• 半導体パッケージのための化学分析

事例

• 3次元X線顕微鏡と高速FIBによるBGAショート箇所の3次元解析
• 超音波顕微鏡による半導体パッケージ内の異物・剥離有無の非破壊観察
• 大型試料の切り出しとEBSD測定
• FIB加工・SEM観察による3次元構造観察とEDS分析
• FIB/SEMによる3次元構造観察
• 白色LEDの蛍光体の分布観察
• 3次元X線顕微鏡によるLED内部の蛍光体の粒度分布測定
• 蛍光X線による微小領域のめっき膜厚測定
• TOF-SIMSやFT-IRによる剥離発生箇所・有機系異物の分析
• ラマン散乱分光による応力/ひずみ分布評価
• 熱履歴によるはんだの組織変化
• 3次元FIB-SEM(EDS)解析
• SEMを用いた不具合箇所の形状観察とEDS分析
• はんだの種類、剥離などの異常の有無
• デザインルール、平坦化プロセス、拡散層の構造観察
• 変色やシミの原因への解析アプローチ

主要設備

• X線観察装置
• 3次元X線顕微鏡(X線CT)
• 超音波顕微鏡(SAM)
• 磁場顕微鏡
• 走査電子顕微鏡(SEM)
• 電子プローブX線マイクロアナライザ(EPMA：WDS・EDS)
• 電子後方散乱回折(EBSD)
• イオンミリング
• 透過電子顕微鏡(TEM)
• 原子間力顕微鏡(AFM)
• 走査型静電容量顕微鏡(SCM)
• 集束イオンビーム(FIB)
• エネルギー分散型微小部蛍光X線分析(ED-µXRF)
• フーリエ変換赤外分光(FT-IR)
• 飛行時間型二次イオン質量分析(TOF-SIMS)
• 加熱発生ガス質量分析(TPD/MS・TG-DTA/MS)