半導体解析

半導体製品の故障箇所特定から物理解析まで一貫した解析により不具合の原因を特定し製品開発や歩留まり、信頼性の向上に寄与します

内容

故障解析の手順(初級者向け)

故障解析の概要(初級者向け)

故障解析の手法

非破壊観察

物理解析

事例

故障解析事例

半導体

  • SiC化合物半導体のアバランシェブレークダウン箇所の特定
  • 白色LEDの不点灯、輝度劣化の解析
  • ショットキーダイオード、ツェナーダイオードの耐圧不良解析
  • IGBT、パワーMOSFETのリーク不良解析
  • フォトカプラ、フォトダイオードのオープン不良解析
  • アナログIC、デジタルIC、電源IC、メモリのESD破壊解析
  • 先端フラッシュメモリの故障解析
  • 配線TEGのオープン/ショート箇所の特定

故障解析手法

主要設備

故障箇所をOBIRCHで特定
全体像      拡大像
故障箇所をOBIRCHで特定

断面SEM観察による不良箇所の形状確認
断面SEM観察による
不良箇所の形状確認

SCMで拡散層の断面形状を観察
SCMで拡散層の断面形状を観察

Failure Analysis / English

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