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脆弱な材料、剥離発生品や複合材料などの断面観察を正確に行うため、試料の特性に合わせた作製手法をご提案します。
トリプル四重極型ICP質量分析装置(ICP-MS/MS)は、シングル四重極型ICP質量分析装置(ICP-QMS)よりもスペクトル干渉除去能力が向上され、試料溶液・・・
二次イオン質量分析(SIMS)は、ppbレベルの極微量不純物元素を同定・定量できる非常に高感度な分析手法です。 スパッタリングしながら測定するため、膜中の不純物・・・
半導体・電子デバイスの高集積化に伴い、その製造工程では、より高い清浄度が求められています。シリコンウェーハ分析-ガスクロマトグラフィー質量分析(SWA-GC/M・・・
基板実装のできばえ調査、接合性、その他不良に関する解析をご提供します。
TSVは、Siを貫通するビアを形成しメタルを埋め込みます。このメタルの応力により酸化膜のクラックが発生し、リーク不良に至るケースがあります。EBSDで結晶粒ごと・・・
カード型デバイス中の薄型集積回路チップ、パワー半導体素子、裏面入射型撮像素子などでは大口径ウェーハを薄研削加工することが多く、その残留応力がデバイスに与える影響・・・
3次元X線顕微鏡により、非破壊で不具合箇所の状態を観察し、同箇所について高速FIBを用いて解析することにより、3次元での詳細な形状と元素分布を観察することができ・・・
SiCやGaNといった化合物半導体においては、結晶欠陥が多く含まれており、素子特性に大きな影響を与えます。放射光を用いたトポグラフィー評価により、高い分解能で4・・・
SIMS分析において、高濃度層から下層膜への不純物拡散を評価する際には、表面の凹凸やスパッタエッチングに伴い、高濃度層からのクレーターエッジ効果やノックオンの影・・・
半導体デバイスの高集積化に伴い、製造工程は高い清浄度が求められています。特にクリーンルーム環境中や関連部材の極微量な不純物の制御、清浄度の評価が重要です。 当社・・・
実装部品の故障解析技術として、適切なサンプル作製を行い3次元X線顕微鏡(X線CT)を用いて破壊箇所の状態を非破壊で観察した事例と、その不具合箇所を断面解析にて詳・・・
化学分析は、材料や不具合箇所の組成、不純物、デガスおよび熱特性などを明らかにすることができます。パッケージング技術開発や工程トラブルなどにおいて、目的に適した分・・・
半導体製造工程における様々なプロセス評価を行うため、一定の濃度レベルに汚染したウェーハ(強制汚染ウェーハ)をご提供します。 目的に応じて、濃度・汚染方法・対象元・・・
平坦部・ベベル部における他のウェーハからのクロスコンタミだけでなく、製品ウェーハや金属膜付きウェーハのウェーハ自身からのベベル汚染分析を可能にしました。金属膜・・・・
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が進められています。 今回、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した・・・
TOF-SIMSは、高感度で有機、無機成分の情報を得ることができます。しかし、高感度のため、高濃度成分(たとえばバルク)が検出器に入ってしまうと、検出器が飽和し・・・
半導体プロセスにおいて各工程ごとの汚染量を把握し、コントロールすることは重要です。 実際のプロセス/ウェーハでの金属元素の熱拡散挙動の評価、材料や部品から発生す・・・
電子デバイスは様々な特性から選択した異種材料が一体化して形成されており、異種材料間の接合技術が重要な鍵を握ります。 3次元のFIB-SEM/EDS・EBSD・ラ・・・
FIB加工とSEM観察、EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます・・・
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