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EELSはEDSと異なり、元素情報だけではなく、元素の結合状態も判断することができます。LSIのコンタクト不良で観察された銅配線間の高抵抗箇所(コンタクト近傍)・・・
半導体製造工程において、製品の品質や作業者の安全を確保するためには、使用する製造装置の性能や安全性を管理することが重要です。装置性能の維持や、装置導入・立ち上げ・・・
X線反射率測定(XRR)は、臨界全反射角近傍でのX線の減衰や干渉縞のあるX線のプロファイルと計算で得られたプロファイルをフィッティングさせることで表面(界面)粗・・・
ICチップ内の多層配線やSi基板の故障箇所を特定するために、SEMで電位コントラスト(PVC)の違いを観察します。
ゲート電極/ゲート絶縁膜界面の不純物の分布や結合状態などを調べるためには1nm以下の深さ方向分解能が必要とされます。このような場合、裏面(ゲート絶縁膜側)からの・・・
X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、表面分析では不可欠な手法です。ラボ型XPS(Al Kα:1.5keV)では、3nm程度の極表面の評・・・
不具合モデルに適した解析手法の立案および、断面・表面解析・分析を行います。
LEDデバイスの発光中心である量子活性井戸層(MQW)は、Inドープ層が積層された構造で、各ドープ層のIn濃度や分布が発光特性へ大きな影響を及ぼすことが知られて・・・
SIMSによる深さ方向分析では、試料表面近傍の浅い領域においてスパッタ率が試料内部よりも高いために、クレーター深さから換算した場合の深さ軸は真値からのずれを生じ・・・
半導体プロセスにおいて、デバイス性能に大きな影響を与える金属汚染のコントロールは重要です。当社では、汚染源・汚染領域など詳細に把握するための汚染評価手法として、・・・
薄膜X線回折は、数nmレベルの薄膜の結晶構造同定に加え、X線反射率測定による多層膜の膜密度・膜厚・粗さの解析も可能です。
レイヤー解析とは、ICチップ内の各層(レイヤー)の観察と除去を繰り返して、異常の有無を確認する手法です。
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は最も重要な項目の1つです。そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。
はんだボールやボンディングなどのできばえを様々な手法で調査し、形状や接合の確認およびクラックなどの不具合に発展する可能性がある要因の有無を確認します。
TEM/STEMは高分解能観察が可能であり、構造解析や結晶欠陥の観察・解析などに有用です。一方、局所的・3次元的な元素分布について、3DAP(3次元アトムプロー・・・
高温でのX線回折(XRD)は、各種材料の温度条件による相変化・化学反応・格子定数の変化を知るために有効な手段です。 nmオーダの極薄膜の結晶構造の変化をIn-・・・
封止樹脂に含まれる成分が変化して、リード電極などを腐食し不具合に至る場合があります。タブレットやパッケージ製品から封止樹脂を取り出して各試験を行うことにより、腐・・・
半導体デバイスやFPDの故障解析では、故障発生状況の把握、外観観察および電気特性取得の後、故障メカニズムの推測を行います。次に故障箇所の特定を行い、表面または断・・・
FIB加工とSEM観察・EDS分析を繰り返し、取得した像をソフトウェアで再構築することで複合材料の情報を3次元的に得ることができ、欠陥や空孔を正確に把握できます・・・
フォトマスクのコンタミネーションは装置内の雰囲気や部品などにより発生し、ウェーハ上に欠陥として転写され不具合の原因となります。この原因を特定するためにはコンタミ・・・
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