原子層堆積法によるTEM解析試料作製TEM Sample Making by Atomic Layer Deposition

原理

酸化物のALDは、真空内で前駆体と酸化剤を交互に供給し、成膜します。【前駆体供給→排気→酸化剤供給→排気】のサイクルを繰り返すことで、反応による成膜過程において表面化学反応の自己停止機能が作用し、1原子層レベルのコントロールが可能になります。また、高膜質かつ段差被覆性の高い膜を成膜することができます。

成膜可能な膜種

当社では、熱ALD法により下記3種の酸化膜を成膜¹⁾することが可能です。

Al2O3：酸化アルミニウム
TiO2：酸化チタン
HfO2：酸化ハフニウム
TMA：トリメチルアルミニウム
TDMAT：テトラキスジメチルアミドチタニウム
TEMAH：テトラキスエチルメチルアミノハフニウム

1) 膜種により条件が異なりますので、詳細についてはお問い合わせください。